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 窄带有机光电探测器的优化设计

罗国平

[摘要]针对基于无机材料的光电探测器需要借助滤光器或棱镜耦合实现窄带响应, 提出了一种通过有机材料制备窄带光电探测器并提高吸收峰值和降低半高全宽的方法和结构。该器件由分布布拉格反射器和有机光电二极管构成。有机光...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(02):224

 不同钝化结构对非极性AlGaN-MSM紫外探测器性能的提升

贾辉 梁征 张玉强 石璐珊

[摘要]在r面蓝宝石衬底上, 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法高温生长了未掺杂非极性AlGaN半导体薄膜, 在此基础上制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外探测器。系统研究了在AlGaN半导体薄膜表面分别磁控溅射SiO2纳米颗粒...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(07):997

 吸收增强的光栅型金属-半导体-金属光电探测器的优化设计

乔 静 谢 生 毛陆虹 丛 佳 董威锋

[摘要]针对可见光通信对硅基光电探测器高响应度的要求,本文利用亚波长金属光栅的异常光学透射现象,提出一种增强与硅基CMOS工艺兼容的金属-半导体-金属光电探测器吸收的方法。采用时域有限差分法,详细分析了光栅周期、光...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(03):363

 自供能TiO2纳米管紫外探测器的制备与性能研究

方向明 李 想 高世勇 张洁静 矫淑杰 王金忠

[摘要]采用液相沉积法在ITO衬底上以ZnO纳米棒阵列为模板合成了TiO2纳米管阵列, 并采用SEM、XRD对样品的形貌、结构等进行表征。在此基础上, 以空白ITO导电玻璃为对电极制备了光电化学型紫外探测器, 并对其光响应特性进行测试...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(12):1743

 Cs掺杂的高性能 (NH2CHNH2)1-xCsxPbI3光电探测器

张 猛 张 帆 张华野 胡煜峰 娄志东

[摘要]FAPbI3有机无机杂化钙钛矿光电探测器还存在一些问题, 合成纯α相光敏钙钛矿需要较高的退火温度(150~160 ℃), 不利于柔性器件的制备; 另外, 在常温下, FAPbI3容易发生α→δ的相变, 器件的空气稳定性很差。本文制备了...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(11):1613

 电化学沉积法制备ZnO纳米柱及自驱动紫外探测性能研究

孙兴敏 金轶民 矫淑杰 李海力 王金忠 高世勇 李洪涛

[摘要]采用提拉法在ITO衬底上制备种子层,并使用电化学沉积制备高度取向的氧化锌纳米棒,研究了不同提拉次数下籽晶层厚度与电化学沉积电位对氧化锌纳米棒形貌的影响。在此基础上,制备了自驱动型紫外探测器并测试了其光响应谱...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(05):591

 基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展

朱彦旭 王岳华 宋会会 李赉龙 石栋

[摘要]GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率, 这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(12):1545

 背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器的i-GaN和p-GaN厚度设计

周梅 李春燕 赵德刚

[摘要]研究了i-GaN和p-GaN厚度对背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现: 对于背照射结构, 适当地减小i-GaN厚度有利于提高探测器的响应, 降低i-GaN层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应...

 PDF全文发光学报 | 2015, 36(09):1034

 基于量子限制的受主带间跃迁太赫兹探测器的制备与测量

翟剑波 黄海北 李素梅 丛伟艳 郑卫民

[摘要]使用分子束外延生长设备, 在GaAs (100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品, 并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁, 设计并制备了δ-掺杂Be受主G...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(08):986-991

 m面蓝宝石上外延(110)取向立方MgZnO薄膜及其日盲紫外探测器件研究

郑剑 张振中 张吉英 刘益春 王双鹏 姜明明 陈星 李炳辉 赵东旭 刘雷 王立昆 单崇新 申德振

[摘要]由于在日盲紫外探测方面的应用前景, 具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(06):678-683

 基于PTCDA的有机/无机光敏二极管结构优化

刘金凤 姚博 郑挺才 彭应全

[摘要]以p型硅和苝四甲酸二酐 (perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管。研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(02):218-223

 PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析

张旭 张杰 闫兆文 周星宇 张福甲

[摘要]在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面, 成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5 Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱(XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明, ITO中...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(12):1459

 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器

郑剑 乔倩 张振中 王立昆 韩舜 张吉英 刘益春 王双鹏 陈星 姜明明 李炳辉 赵东旭 刘雷 刘可为 单崇新 申德振

[摘要]在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件, 30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm), 对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(11):1291

 电极间距对ZnO基MSM紫外光电探测器性能的影响

李超群 陈洪宇 张振中 刘可为 申德振

[摘要]利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。利用Au电极, 在ZnO薄膜上制备电极间距不同的金属-半导体-金属结构紫外光电探测器。发现随着电极间距从150 μm降至5 μm, 探测器响应度呈现出从15 mA/W到7...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(10):1172

 氧化锌基材料、异质结构及光电器件

申德振 梅增霞 梁会力 杜小龙 叶建东 顾书林 吴玉喜 徐春祥 朱刚毅 戴俊 陈明明 季旭 汤子康 单崇新 张宝林 杜国同 张振中

[摘要]Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV, 室温下激子束缚能高达60 meV, 远高于室温热离化能(26 meV), 是制造高效率短波长探测、发光和激光器件的理想材料。历经10年的发展, ZnO基半导体的研究在...

 PDF全文发光学报 | 2014, 35(01):1-60

 SiO2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比, 沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级, 峰值光谱响应度提高了近...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(08):879-882

 GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征

李广如 秦志新 桑立雯 沈波 张国义

[摘要]制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA, -20 V下的暗电流小于 0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示, 可重复的雪崩增益起始于80 V附近, 在85 V左右增益达到最大为120, 表明所制备的器件具...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(03):262-265

 背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器

赵延民 张吉英 张希艳 单崇新 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 申德振 范希武

[摘要]设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器, 光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明:Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352 nm, 截止边为382 nm, 可见抑制...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(04):527-530

 结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计

周梅 赵德刚

[摘要]研究了GaN肖特基结构(n--GaN /n+-GaN)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理。模拟计算结果表明:提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且可以极大地减小器件的暗电流;适当地增...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(06):824-831

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