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   将选定结果: 

 高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性

亢玉彬 唐吉龙 张健 方铉 房丹 王登魁 林逢源 魏志鹏

[摘要]通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分...

 PDF全文中国激光 | 2019, 46(02):0203002

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