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   将选定结果: 

 GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面

郝瑞亭 任洋 刘思佳 郭杰 王国伟 徐应强 牛智川

[摘要]系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低, Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层, 生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时, 生长得到低缺陷表面的低...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):135

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