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 基于光子晶体反射镜的刻蚀衍射光栅设计与制备

袁 配 王 玥 吴远大 安俊明 张家顺 祝连庆

[摘要]刻蚀衍射光栅作为波分复用/解复用器件,有望在光通信系统中得到广泛应用。在基于顶层硅厚度为220 nm的绝缘体上硅材料上设计并制作了一种新型刻蚀衍射光栅,该刻蚀衍射光栅引入六角晶格空气孔型光子晶体作为其反射镜。...

 PDF全文红外与激光工程 | 2019, 48(09):0916005

 基于3 μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成

袁 配 王 玥 吴远大 安俊明 祝连庆

[摘要]波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片, 并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性, 在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200 G...

 PDF全文红外与激光工程 | 2019, 48(08):0818004

 硅基二氧化硅波导阵列相位控制芯片

颜跃武 安俊明 张家顺 王亮亮 李建光 王红杰 吴远大 尹小杰 王玥

[摘要]设计并制作了硅基二氧化硅波导阵列相控芯片, 该芯片由分束单元、相位调制单元、输出波导阵列三部分构成, 分束单元采用三级1×2的光分束器级联而成, 相位调制单元采用热光调制方式, 输出部分包含8根密集阵列波导....

 PDF全文光子学报 | 2019, 48(04):0423001

 光学相控阵技术研究进展

颜跃武 安俊明 张家顺 王亮亮 尹小杰 吴远大 王玥

[摘要]论述了光学相控阵的原理, 回顾了光学相控阵的发展历程, 特别是近年来硅光子相控阵的研究进展。利用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线相兼容的绝缘体上硅(SOI)技术实现了大规模的集成, 目前国外报道的最大的硅光子相...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2018, 55(02):020006

 基于绝缘体上硅材料的25通道200 GHz的阵列波导光栅

袁配 王玥 吴远大 刘丽杰 安俊明 胡雄伟

[摘要]报道了基于绝缘体上硅材料的25通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅, 分别优化了输入波导/输出波导/阵列波导间的最小间距 (Δxi/Δxo/d), 及其自由传播区和阵列波导之间边界结构 (W2/L2/L3).实验结果表明, 该阵列波导...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(06):673

 O波段8通道硅基二氧化硅平坦化阵列波导光栅的设计及制备

李超懿 安俊明 张家顺 王亮亮 李建光 王红杰 吴远大 尹小杰 王 玥

[摘要]设计并制作了一款应用于IEEE 200/400 GbE标准802.3 bs的阵列波导光栅.该阵列波导光栅使用2.0%的超高折射率差硅基二氧化硅材料,使得芯片尺寸及损耗较小.为了获得平坦化的接收光谱,将输出波导进行展宽,采用多模波导...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(08):0823003

 数据中心发射及接收集成芯片研究进展

李超懿 安俊明 张家顺 王亮亮 吴远大 尹小杰 王玥

[摘要]现阶段的光模块封装类型已从小型可插拔(SFP)系列逐渐向100 Gb/s可插拔(CFP)系列和4通道SFP(QSFP)系列过渡, 传输速率最高可达400 Gb/s, 发射端激光器消光比大于9 dB, 光波分复用器插入损耗小于1 dB, 发射功率大于0.3 ...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2016, 53(12):120002

 硅-有机物材料混合电光调制器的优化设计

李凯丽 安俊明 张家顺 王玥 王亮亮 吴远大 李建光 尹小杰 王红杰

[摘要]设计了一种基于绝缘上层硅的硅-有机物材料混合马赫-曾德干涉型高速电光调制器.利用光束传播法对顶层硅为220 nm的绝缘上层硅基片上的3 dB分束器/合束器的结构参数进行模拟,优化后附加损耗仅为0.106 dB.为提高模式转换...

 PDF全文光子学报 | 2016, 45(05):0523001

 1 310 nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展

刘丽杰 吴远大 王 玥 安俊明 胡雄伟 王 佐

[摘要]垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景, 国际上对VCSELs需求逐年增加, 而国内目前VCSELs的产业化尚属空白。本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法。将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(07):809

 SOI基PLC型阵列波导光栅与可调光衰减器单片集成

袁配 吴远大 王玥 安俊明 胡雄伟

[摘要]制作了基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator, SOI)材料的8×16通道的阵列波导光栅(Arrayed Waveguide Grating, AWG)与电吸收型可调光衰减器(Variable Optical Attenuator, VOA)的单片集成器件, 其信道间隔为200G...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(04):477

 基于光子晶体渐变型双异构微腔的掺铒硅光致发光研究

王玥 安俊明 吴远大 胡雄伟

[摘要]实验验证了室温下二维氧化物下包层非对称平板三角晶格光子晶体渐变型双异构微腔对绝缘体上硅(SOI)基片上铒氧共掺硅材料的显著发光增强作用。在波长为488nm、功率为15mW激光激发下, 微腔的光致发光(PL)谱呈现出一个位...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(04):467

 基于SOI的16通道200GHz阵列波导光栅

袁配 吴远大 王玥 安俊明 胡雄伟

[摘要]设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的1×16阵列波导光栅(AWG)。该AWG器件的中心波长为1550nm, 信道间隔为200GHz, 采用了脊型波导结构。首先确定了波导的结构尺寸以保证单模传输, 并利用束传播法(BPM)模拟了波导...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(03):313

 基于微环谐振腔的可调谐滤波器的研究

吴丹宁 吴远大 王玥 安俊明 胡雄伟

[摘要]采用深紫外光刻及等离子体刻蚀等工艺制备基于绝缘体上硅材料的环形滤波器,且微环半径仅为5 μm。制备基于单微环的4 通道光分插复用器,器件尺寸仅为3000 μm×500 μm。测试结果表明,该器件可以很好地实现上下...

 PDF全文光学学报 | 2016, 36(01):0123002

 基于SOI的低功耗低偏振相关损耗的可调光衰减器

袁配 王玥 吴远大 安俊明 胡雄伟

[摘要]基于硅的等离子体色散效应, 构建了大尺寸SOI基光波导电光可调光衰减器(VOA)仿真模型, 系统模拟分析了结构参数对VOA衰减及偏振相关特性的影响, 优化设计出了低功耗、低偏振相关损耗的VOA器件, 仿真结果表明, 该VOA在2...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(02):189

 基于游标干涉的新型高灵敏度微环传感器

张晓光 吴远大 王玥 安俊明 张家顺 谢亮 胡雄伟

[摘要]设计并分析了一种基于游标效应的光学传感器。采用截面尺寸为220nm×500nm的SOI矩形波导来进行分析。传感器的灵敏度为4.5×104nm/RIU, 探测极限低于10-4RIU。该传感器最重要的优点是, 即使器件有很高的传输损...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(02):182

 SOI基亚微米光波导可调光衰减器的设计

刘瑞丹 王玥 吴远大 安俊明 胡雄伟

[摘要]基于硅的等离子色散效应, 构建了SOI基光波导可调光衰减器(VOA)仿真模型, 对SOI基亚微米脊形波导结构的模式特性、VOA器件的掺杂区间距、掺杂深度及浓度对VOA特性的影响进行了系统的模拟分析, 优化设计出了小尺寸、低损...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(01):34

 基于不同衬底的二氧化硅可调复用器/解复用器的单片集成芯片研究

代红庆 安俊明 王玥 张家顺 王亮亮 王红杰 李建光 吴远大 钟飞 查强

[摘要]分别设计制备了基于石英衬底和硅衬底的16通道200GHz二氧化硅可调复用器/解复用器。该器件由一个16通道200GHz的阵列波导光栅(AWG)和Mach-Zehnder干涉型热光可调光衰减器(VOA)阵列构成。在衰减量达到20dB的时候, 基于石...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(01):16

 阵列波导光栅平坦化的研究

张俪耀 吴远大 安俊明 王玥 王亮亮 潘盼 张家顺 张晓光 胡雄伟

[摘要]阵列波导光栅的平坦化在实际应用中有很重要的意义.本文系统地研究了阵列波导光栅的平坦化.在输入波导、输出波导、阵列波导输入端与输出端上分别引入了指数型锥形波导.通过改变锥形波导的形状和尺寸来实现平坦化的优化...

 PDF全文光子学报 | 2013, 42(04):379-385

 特种非对称低损耗1×5光分路器

王亮亮 安俊明 吴远大 王玥 张家顺 张晓光 潘盼 张俪耀 胡雄伟 赵德刚

[摘要]设计和优化了一种新型低损耗、低偏振的基于二氧化硅的特种非对称1×5光分路器.在设计Y分支结构时, 输入端采用缓变展宽波导结构和直波导过渡波导相结合的结构, 此结构可以使输入光场缓慢展宽, 进行分束前的准备, ...

 PDF全文光子学报 | 2013, 42(03):298-302

 一种新型温度不敏感阵列波导光栅的设计

张俪耀 吴远大 安俊明 王玥 潘盼 张晓光 王红杰 胡雄伟

[摘要]提出了一种新型结构的阵列波导光栅。在AWG的阵列波导中嵌入多种补偿介质, 补偿二阶或二阶以上温度偏移。首先从理论上推导出器件的工作原理表达式;其次给出了器件结构的设计方案, 阵列波导采用同心圆结构设计, 使得嵌...

 PDF全文半导体光电 | 2013, 34(04):549-553

 基于绝缘硅的微环谐振可调谐滤波器

李帅 吴远大 尹小杰 安俊明 李建光 王红杰 胡雄伟

[摘要]采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5 μm左右,波导截面尺寸为(350~500 nm)×220 nm不等.测试结果表明,波导宽度为450 nm时器件性...

 PDF全文光子学报 | 2011, 40(08):1143-1148

 硅纳米槽微环谐振器温度特性研究

宋世娇 安俊明 赵雷 吴远大 胡雄伟

[摘要]理论上模拟分析了硅基绝缘(SOI)槽波导微环谐振腔加盖SiO2包覆层情况下的温度稳定特性。对比了槽微环和纳米线微环,以及不同结构的槽微环谐振腔的温度稳定性。得到在室温下,5 μm半径槽微环在1.55 μm附近的谐振波...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2010, 47(12):121301

 基于硅基二氧化硅阵列波导光栅宽带低串扰单纤三向器

李俊一 安俊明 吴远大 李建光 王红杰 胡雄伟

[摘要]采用硅基二氧化硅阵列波导光栅设计并制作了宽带低串扰单纤三向器.为使三个波长间隔相差较大的输出谱获得相同的带宽,在输出波导与罗兰圆交界采用了不同结构的多模干涉器.二维有限差分束传播法的模拟结果表明,理论上...

 PDF全文光子学报 | 2010, 39(02):205-209

 基于绝缘体上硅和溶胶-凝胶杂化SiO2模斑转换器的研究

尹小杰 吴远大 王玥 张家顺 李建光 胡雄伟

[摘要]为了提高基于绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)的Si微纳波导器件和光纤的耦合效率,设计了一种基于SOI和溶胶-凝胶杂化SiO2材料的新型微纳倒锥波导模斑转换器。此模斑转换器由Si微纳倒锥波导和溶胶-凝胶杂化SiO2矩...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(s2):83-85

 硅基光波导化学传感器研究

吴远大 安俊明 李建光 王玥 尹小杰 张家顺 王红杰 胡雄伟

[摘要]研究了基于硅基集成光波导的马赫-曾德干涉仪(MZI)型化学传感芯片的设计、制备及相关敏感特性的模拟和分析。传感芯片采用硅基二氧化硅光波导材料, 利用与传统互补型金属氧化物半导体(CMOS)兼容的工艺技术制作。通过波...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(07):1983-1986

 掩埋式多模干涉型分束器的反射性能

夏君磊 吴远大 安俊明 郜定山 李健 胡雄伟

[摘要]通过束传播方法(BPM)模拟了SiO2基掩埋式波导结构多模干涉(MMI)型分束器的反射性能,模拟结果表明,MMI工作在分束模式时存在最优的多模干涉长度实现最大输出和最小反射,而在合束模式下实现最大输出时反射也达到最大,...

 PDF全文光学技术 | 2006, 32(01):0080-81

 硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长

吴远大 张乐天 邢华 李爱武 郑伟 刘国范 张玉书

[摘要]采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料,材料膜厚达到40 μm以上,生长速率达8 μm/min.然后将该材料分别在真空中/空气气氛中高温致密化处理,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料,包括平整度好、光滑透明的玻璃态...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(02):195-198

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