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 2.75 μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器

袁野 柴小力 杨成奥 张一 尚金铭 谢圣文 李森森 张宇 徐应强 宿星亮 牛智川

[摘要]设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75 μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发...

 PDF全文中国激光 | 2020, 47(07):0701026

  2 μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究

李 翔 汪 宏 乔忠良 张 宇 徐应强 牛智川 佟存柱 刘重阳

[摘要]展示了一种低阈值(~131 A/cm2)2 μm InGaSb/AlGaAsSb单量子阱(Single Quantum Well, SQW)激光器, 并对该激光器的理想因子n进行了研究。激光器的总体理想因子n由中央pn结的理想因子n和n型GaSb衬底与n型金属之间形成的...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(05):0503001

 2 μm GaSb基大功率半导体激光器研究进展

谢圣文 杨成奥 黄书山 袁 野 邵福会 张 一 尚金铭 张 宇 徐应强 倪海桥 牛智川

[摘要]2 μm波段GaSb基大功率激光器在诸多领域具有广阔的应用前景,如气体探测、医疗美容、激光加工等。基于功率提升, 综述和讨论了2 μm波段GaSb基激光器结构的发展过程, 介绍了目前国内外的研究状况, 讨论和分析了GaSb基激...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(05):0503003

 锑化物中红外单模半导体激光器研究进展

杨成奥 谢圣文 黄书山 袁 野 张 一 尚金铭 张 宇 徐应强 牛智川

[摘要]锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势, 是2~4 μm波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来, 国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展, 实现了大功率单管、阵列激光器的室温工作。然...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(05):0503002

 3~4 μm锑化物带间级联激光器研究进展(特邀)

张 一 张 宇 杨成奥 谢圣文 邵福会 尚金铭 黄书山 袁 野 徐应强 倪海桥 牛智川

[摘要]3~4 μm波段中红外激光器在工业气体检测、医学医疗和自由空间光通信等诸多领域具有十分重要的应用。目前锑化物半导体带间级联激光器是实现中红外3~4 μm波段的理想方案。带间级联激光器(Interband Cascade Laser,ICL...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(10):1003003

 GaSb基光泵浦半导体碟片激光器的研究进展(特邀)

尚金铭 张 宇 杨成奥 谢圣文 黄书山 袁 野 张 一 邵福会 徐应强 牛智川

[摘要]GaSb基光泵浦半导体碟片激光器(OP-SDLs)可以获得高光束质量和高功率的红外激光输出, 是近年来新型中红外激光器件研究领域的热点。文中介绍了GaSb基光泵浦半导体碟片激光器增益芯片的外延结构和工作原理, 综述了2 μm...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(10):1003004

 镀膜对2.0 μm锑化物激光器性能的提升

黄书山 张宇 杨成奥 谢圣文 徐应强 倪海桥 牛智川

[摘要]基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系, 制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比, 同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电流为3.0 A时, 室温连续模式下的输出功率达到300 mW, 最大插头效率为 8.3%。镀膜器件在注...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(09):0901005

 利用高阶DBR实现简单的2.0 μm GaSb激光器

黄书山 杨成奥 张宇 谢圣文 廖永平 柴小力 徐应强 牛智川

[摘要]利用高阶Bragg光栅成功制备出GaSb基DBR激光器, 避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构.16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17.5 dB 的单模激光输出.CW状态下室温...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(06):653

 GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化

崔晓然 吕红亮 李金伦 苏向斌 徐应强 牛智川

[摘要]采用分子束外延设备(MBE), 外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中, 通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度, 分别对比了材料二维电子气特性的变化, 并在隔离层厚度为5 nm...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(04):385

 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器

柴小力 张宇 廖永平 黄书山 杨成奥 孙姚耀 徐应强 牛智川

[摘要]成功制备出2.6μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量, 将量子阱的生长温度优化至500℃, 并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(03):257

 GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面

郝瑞亭 任洋 刘思佳 郭杰 王国伟 徐应强 牛智川

[摘要]系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低, Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层, 生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时, 生长得到低缺陷表面的低...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):135

 大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器

廖永平 张宇 杨成奥 黄书山 柴小力 王国伟 徐应强 倪海桥 牛智川

[摘要]通过MBE外延系统生长了2 μm GaSb基AlGaAsSb/InGaSb I型量子阱激光器, 并制备了宽面条形波导激光器件, 在20℃工作温度下, 器件最大连续激射功率达到1.058 W, 当注入电流为0.5 A时, 峰值波长为1977μm, 最大能量转换...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(06):672

 锑化镓基量子阱2 μm大功率激光器

廖永平 张宇 邢军亮 杨成奥 魏思航 郝宏玥 徐应强 牛智川

[摘要]使用固态源MBE系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长,通过优化稳定生长条件,结合标准宽条形激光器制备工艺,获得了在15℃工作温度下823 mW的连续光输出,注入电流0.5 A时,峰值波长为1.98 μm。在1000 Hz,5...

 PDF全文中国激光 | 2015, 42(s1):s102006

 掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性

陈燕 邓爱红 汤宝 王国伟 徐应强 牛智川

[摘要]分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2012, 31(04):298-301

 1.3μm GaInNAs 量子阱RCE光探测器

张瑞康 钟源 徐应强等

[摘要]

 PDF全文光子学报 | 2002, 31(03):303

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