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 基于双电荷层结构的CMOS单光子雪崩二极管

许明珠 张钰 夏翠雲 逯鑫淼 徐江涛

[摘要]基于180 nm标准CMOS工艺, 设计了一种能够有效提高光子探测效率的双电荷层结构的单光子雪崩二极管.该器件结构采用P电荷层和逆行掺杂的深N阱形成PN结, 选取不同的P电荷层掺杂浓度, 对击穿电压进行优化, 当P电荷层浓度为...

 PDF全文光子学报 | 2019, 48(07):0704002

 TDI CMOS图像传感器曝光时间优化方法研究

何春良 李斌桥 刘振旺 徐江涛

[摘要]为了提高时间延迟积分互补金属氧化物半导体(TDI CMOS)图像传感器的成像质量,研究了TDI CMOS图像传感器中曝光时间的选取对成像质量的影响。基于行滚筒曝光读出原理,分别分析了曝光时间对信噪比(SNR)和调制传递函数(...

 PDF全文光学学报 | 2015, 35(02):0204002

 紫外成像器件光电阴极封接焊料熔层缺陷对气密性的影响

徐江涛 杨晓军 张太民 韩昆烨

[摘要]为解决紫外成像器件光电阴极与管体封接漏气问题, 对管体InSn合金熔化过程中出现的质量问题进行了深入分析, 找出焊料熔层缺陷主要来源于对焊料除气不彻底和基底表面氧化及设备油污染。通过优化工艺参数, 改进工艺质量...

 PDF全文应用光学 | 2014, 35(06):1054

 TDI-CMOS图像传感器多次采样叠加调制传输函数模型研究

李林 姚素英 徐江涛 何春良

[摘要]提出了多次采样叠加下时间延迟积分(TDI)CMOS图像传感器沿扫描方向的调制传输函数(MTF)分析模型。基于行滚筒曝光读出原理,研究了一个行时间内采样次数、叠加次数、TDI级数和速度失配比对扫描MTF的影响机理。为验证扫...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(02):0228002

 三代像增强器透射式GaAs阴极光电发射稳定性研究

徐江涛 程耀进 刘峰 李敏 刘蓓蓓

[摘要]为了解决三代像增强器管内阴极灵敏度下降问题,用质谱计对激活工艺过程进行质量检测,并确定了激活工艺参数,通过对阴极原子级洁净表面获得和激活铯、氧提纯工艺参数优化研究,对制备的透射式GaAs阴极光电发射稳定性...

 PDF全文应用光学 | 2013, 34(03):489-493

 时间延迟积分型面阵CMOS图像传感器MTF速度失配模型研究袁高斌李斌桥

徐江涛 聂凯明

[摘要]研究了时间延迟积分型面阵互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器调制传递函数(MTF)速度失配特性,在分析累加级数、像素尺寸、镜头放大倍数、行周期及电机运动速度失配等影响因素的基础上,建立了MTF速度失配模型。...

 PDF全文光学学报 | 2013, 33(01):0104001

 一种基于地址事件表达的实时视觉传感器实现方法

于璐 姚素英 徐江涛

[摘要]为获取高帧频、大动态范围、低数据量的精确视觉信息,提出了一种基于地址事件表达(AER)的实时视觉CMOS传感器实现方法。采用AER方式,多模式的行仲裁及实时时间标记,有效减小读出数据量,减小时域行间信息扭曲;利...

 PDF全文光学学报 | 2013, 33(01):0128003

 三代微光管防离子反馈Al2O3膜电子轰击放气成分分析

徐江涛 程耀进 闫磊 刘蓓蓓 祝婉娉 刘峰

[摘要]为了解决防离子反馈Al2O3膜污染对三代微光管GaAs光电阴极灵敏度的影响, 用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板(MCP)和带Al2O3膜MCP在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明, 带Al2O3膜MCP放出有对阴极光...

 PDF全文应用光学 | 2012, 33(06):1109-1112

 GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析

徐江涛

[摘要]为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题,运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析, 获得了GaAs电子发射层原子级表面。结果表明:组件150℃为表面放气,450℃为材料...

 PDF全文应用光学 | 2009, 30(02):296-299

 防离子反馈Al2O3膜对三代夜视成像器件性能的影响

徐江涛 尹涛

[摘要]为解决三代微光管寿命问题,采用电子显微镜和质谱仪对微通道板输入面溅射蒸镀的Al2O3膜质量进行了分析,研究了膜层对器件性能的影响,并就Al2O3给三代微光夜视成像器件带来的成像质量问题进行了讨论。研究结果表明:...

 PDF全文应用光学 | 2007, 28(02):0129-132

 微光像增强器的最新发展动向

徐江涛 张兴社

[摘要]综述了近年来微光像增强器发展的现状和动向.目前微光器件主要向第四代近贴聚焦像增强器发展,其技术突破一是采用无膜MCP;二是光电阴极采用自动门控电源和红外热像与微光夜视光学融合技术.夜视仪向小巧、轻便和价廉的单...

 PDF全文应用光学 | 2005, 26(02):21-23

 三代微光像增强器制管工艺对阴极光电发射性能的影响

徐江涛

[摘要]主要论述制管工艺对光电阴极发射性能的影响。通过分析仪器和光学检测方法对管子阴极制备的台内及台外工艺质量进行了在线追踪和监测.结果表明,影响台外工艺质量的主要因素是外延材料缺陷多、发射层表面氧化、杂质污...

 PDF全文应用光学 | 2004, 25(05):30-32

 质谱分析与检漏技术在成像器件研究中的应用

徐江涛

[摘要]运用四极质谱计对微光成像器件的制管工艺质量进行大量质谱分析监测,分清了各道工序污染对制管的影响.通过对制管工艺进行改进,使制管成品率提高了50%.

 PDF全文应用光学 | 2003, 24(06):5-8

 真空残气对GaAs阴极发射性能的影响

徐江涛

[摘要]针对三代微光像增强器的GaAs阴极灵敏度下降,分析真空残气对阴极发射性能的影响.实验结果表明,有害气体是造成阴极灵敏度下降的主要因素.

 PDF全文应用光学 | 2003, 24(02):13-15

 砷化镓负电子亲合势光电阴极激活灵敏度在线检测与分析

徐江涛

[摘要]模拟光电阴极灵敏度测试仪对GaAs阴极激活光源进行校准,并对透、反射阴极光电流比值对灵敏度的影响进行了讨论,实验结果证明,P+衬底和阴极组件激活灵敏度的差别主要来源于台外工艺质量的影响.

 PDF全文应用光学 | 2002, 23(01):26-28

 二代微光器件工艺质量分析

徐江涛

[摘要]用四极滤质器对微光管工艺质量进行检测,发现工艺质量污染及制管成品率低的主要原因是由于真空机组中油蒸气污染和操作方法不正确所致.通过实验,本文给出了解决油蒸气污染的措施和正确排气的操作方法.建议采用一种多用...

 PDF全文应用光学 | 2001, 22(06):23-27

 二代近贴管微通道板(MCP)电子清刷技术

徐江涛

[摘要]主要介绍二代近贴微光管MCP电子清刷技术研究结果,结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论.

 PDF全文应用光学 | 2001, 22(04):23-25

 二代微通道板(MCP)放气成份质谱分析

徐江涛

[摘要]模拟二代微光管制管工艺,对MCP经不同工艺处理 后的放气 成份进行分析,发现工艺质量本身是造成MCP污染的主要因素。经改进工艺,提高了制管成品 率和管子性能。

 PDF全文应用光学 | 2000, 21(05):1-4

 透射式GaAs光电阴极激活技术研究

徐江涛

[摘要]通过对成像器件GaAs负电子亲合 势(NEA)光电阴极激活技术的研究,运用分析仪器进行工艺质量在线监测,在大、薄、匀 的GaAs外延层激活出的台内阴极灵敏度大于1300μA/lm。

 PDF全文应用光学 | 2000, 21(04):5-7

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