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 半导体激光器辐照损伤效应实验研究进展

王祖军 宁 浩 薛院院 徐 瑞 焦仟丽 刘敏波 姚志斌 马武英 盛江坤 董观涛

[摘要]半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时, 会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早期的GaAs LD到量子阱LD和量子点LD)在辐照效应实验方面的研究进展, 梳理了国际上开展不同...

 PDF全文半导体光电 | 2020, 41(02):151

 CCD质子辐照损伤效应的三维蒙特卡罗模拟

薛院院 王祖军 刘 静 何宝平 姚志斌 刘敏波 盛江坤 马武英 董观涛 金军山

[摘要]针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2018, 30(04):044001

 基于EMVA1288标准的图像传感器辐照效应参数测试系统的研制

王祖军 薛院院 姚志斌 马武英 何宝平 刘敏波 盛江坤

[摘要]提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题, 简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求, 建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应测试系统, 并进行了辐照试验验证。验证试...

 PDF全文半导体光电 | 2017, 38(04):515

 CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展

王祖军 刘 静 薛院院 何宝平 姚志斌 盛江坤

[摘要]CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时, 均会受到总剂量辐照损伤的影响, 严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3T PD(Photodiode)到4T PPD(Pinned Photo...

 PDF全文半导体光电 | 2017, 38(01):1

 不同偏置条件下光电耦合器的总剂量效应

黄绍艳 刘敏波 盛江坤 姚志斌 王祖军 何宝平 肖志刚 唐本奇

[摘要]开展了4N49光电耦合器不同辐照偏置条件下的辐照实验,结果表明:电流传输比的下降幅度与辐照期间的偏置条件有关,处于工作状态的光电耦合器比短路状态的总剂量效应要弱,其根源是光电耦合器的LED施加了电流,而与光敏晶体...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(05):708

 光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应

黄绍艳 刘敏波 姚志斌 盛江坤 肖志刚 何宝平 王祖军 唐本奇

[摘要]开展了光电耦合器在0.01, 0.1, 1.0和50 rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60Coγ)辐照实验, 结果表明: γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降, 辐照到相同总剂量, 电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(08):084001

 双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验

刘敏波 陈伟 姚志斌 黄绍艳 何宝平 盛江坤 肖志刚 王祖军

[摘要]选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(03):034003

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