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 基于光场相机波前传感器的气动光学效应校正研究

盛良睿 马晓燠 杨奇龙重庆连芯光电技术研究院有限公司 重庆 400021 汪韬

[摘要]受气动光学效应的影响, 来自目标的光波波前会产生动态扰动, 导致成像模糊化。常用的校正方法是在测得波前的前提下进行解卷积处理, 达到还原图像的效果。传统的波前传感器只能有效测量中心视场, 由于存在非等晕问题, ...

 PDF全文半导体光电 | 2020, 41(03):432

 Yb3+掺杂铋酸盐玻璃的发光特性

汪韬 范慧艳 赵国营 程继萌 陈伟 胡丽丽 Guzik Malgorzata Boulon Georges

[摘要]研究了Yb3+掺杂铋酸盐玻璃的发光特性参数, 讨论了Yb2+、Bi3+等缺陷淬灭中心与Yb3+之间的能量转移。对于已优化的基质组成, 在荧光寿命没有大幅下降的前提下, 玻璃中Yb3+近红外波段的发射截面明显增大, 吸收截面减小, ...

 PDF全文中国激光 | 2017, 44(09):0903001

 片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺

郭春妍 徐建星 彭红玲 倪海桥 汪韬 田进寿 牛智川 吴朝新 左剑 张存林

[摘要]提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺, 使用HNO3-NH4OH-H2O-C3H8O7·H2O溶液-H2O2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料, Hall测试表明MBE生...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):220

 低暗电流InGaAs-MSM光电探测器

闫欣 汪韬 尹飞 倪海桥 牛智川 辛丽伟 田进寿

[摘要]MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛,可用于空间通信、遥感等多方面,但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此,本文研制了100×100 μm2 面积的InGaAs-MSM光电探测器...

 PDF全文光子学报 | 2015, 44(06):0604002

 InAsSb材料的LPMOCVD生长

徐庆安 邵逸恺 汪 韬 尹 飞 闫 欣 辛丽伟 王警卫

[摘要]采用低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生...

 PDF全文半导体光电 | 2015, 36(05):733

 基于电吸收调制器的深度成像系统误差分析

张敏睿 贺正权 田进寿 汪韬

[摘要]建立了基于电吸收调制器(EAM)的深度成像系统数值模型. 为定量描述时序误差对系统精度的影响推导了含尺度因子的测量误差公式, 分析了光调制器参数、系统噪声和时序误差对测量误差的影响. 结果表明, 无时序误差时, 测量...

 PDF全文光学学报 | 2015, 35(06):0611004

 红外光纤双波段法对桥丝温度的测量

张立臣 汪韬 尹飞 杨瑾 胡雅楠

[摘要]针对桥丝辐射温度检测中存在被测目标体积小, 红外辐射量小, 远距离传输损耗大等难点技术问题, 设计了一种双波长光纤温度测量系统。根据电火工品热辐射的原理, 得出双波长测温数学模型, 采取有效的光学光纤耦合和提高...

 PDF全文光电工程 | 2011, 38(08):107-111

 用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长

汪韬 杨瑾 尹飞 王警卫 胡雅楠 张立臣 殷景致

[摘要]用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2011, 30(06):511-513

 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响

吴雷学 汪韬 王警卫 李晓婷 景争 尹飞 梅书刚

[摘要]采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶...

 PDF全文光子学报 | 2009, 38(08):1937-1941

 桥丝式电点火头感应电流的测试研究

尹飞 梅书刚 汪韬 贺俊芳 阮驰 吴雷学 赵团 封青梅

[摘要]用红外光纤分光法对桥丝式电点火头中的感应电流进行非接触式远程测量.从红外辐射理论和实验两方面证明该方法的可行性.对桥丝产生的弱信号红外辐射进行光调制和锁相放大,通过探测器测得桥丝式电点火头辐射的中、近红外...

 PDF全文光子学报 | 2009, 38(06):1494-1497

 过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响

李晓婷 赛小锋 汪韬 曹希斌 石刚

[摘要]利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2007, 44(06):58-61

 GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究

李晓婷 王一丁 汪韬 殷景致 王警卫 赛小锋 高鸿楷 张志勇

[摘要]采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、V/Ⅲ比、过渡层...

 PDF全文光子学报 | 2005, 34(09):1363-1366

 Ge衬底上GaInP2 材料的生长研究

李晓婷 汪韬 赛小锋 张志勇

[摘要]采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面偏(110)面 9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,...

 PDF全文光子学报 | 2005, 34(06):909-911

 GaAs/Ge太阳能电池电极银镀层结合力的研究

李晓婷 汪韬 赛小锋 王警卫

[摘要]采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究。研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力。同...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2004, 41(12):31-33

 新型菲涅尔线聚光太阳电池组件特性分析

汪韬 李晓婷 李宝霞 赛小锋 高鸿楷

[摘要]以PMMA为材料,采用热压成型工艺加工线聚焦菲涅尔聚光棱镜,对在其聚光条件下不同入射角度情况下太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明:该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率,而且具有比较宽泛的集光...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(09):1138-1141

 高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响

李晓婷 汪韬 赛小锋 高鸿楷

[摘要]采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(08):921-924

 新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究

汪韬 赛小锋 李晓婷 李宝霞 高鸿楷

[摘要]以聚甲基丙烯酸甲脂为材料,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜(8×),可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统,并对在其聚光条件下,太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明,该菲涅尔线聚焦棱...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(05):625-627

 MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究

李宝霞 汪韬 李晓婷 赛小锋 高鸿楷

[摘要]利用低压金属有机化合物汽相淀积(LP-MOCVD)系统,通过调节生长参量和掺杂工艺,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从8×1017到4×1021可控的掺碳GaAs外延层,最后给出一应用实例-用重掺碳的GaAs 材料做级联...

 PDF全文光子学报 | 2003, 32(02):249-252

 GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长

李辉 汪韬 李宝霞 赛晓峰 高鸿楷

[摘要]本文采用自制的LP-MOCVD设备,外延生长出GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池结构片,对电池材料进行了X射线衍射测试分析.另外,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线.用此材料做出的叠层太阳电池,AMO条件下光电转换效率...

 PDF全文光子学报 | 2002, 31(02):209-212

 用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计

汪韬 李辉 李宝霞 赛小锋 高鸿楷

[摘要]根据边缘光线原理,优化设计太阳电池及光伏系统的菲涅耳线聚焦聚光透镜.设计光学聚光率为18×,可用于空间、地面光伏系统的聚光系统.分析了其集光角特性,表明该菲涅耳线聚焦棱镜具有大的集光角(±7°).

 PDF全文光子学报 | 2002, 31(02):196-199

 生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响

汪韬 李宝霞 李晓婷 赛小锋 高鸿楷

[摘要]采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不...

 PDF全文光子学报 | 2002, 31(12):1479-1482

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