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   将选定结果: 

 多芯片LED器件热学特性分析

陈焕庭 陈福昌 何 洋 林 硕 熊传兵 周锦荣 陈赐海

[摘要]由于芯片之间存在的热耦合效应, 多芯片LED器件内部存在复杂热学规律。本文通过多芯片LED热学模型描述多芯片LED器件系统内部热阻支路路径, 进而通过有限体积数值计算多芯片LED器件结温。通过本文试验验证, 单颗芯片、...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(05):751

 硅衬底GaN基LED薄膜芯片的应力调制

汤英文 熊传兵 王佳斌

[摘要]将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火, 通过高分辨X射线衍射(HRXRD)研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现: 垂直结构LE...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(08):979

 量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响

汤英文 熊传兵 井晓玉

[摘要]在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片, 3种量子垒结构分别为GaN、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/GaN/In0.05Ga0.95N, 对应的3种芯片样品为A、B、C, 研究...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(03):327

 AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

刘军林 熊传兵 程海英 张建立 毛清华 吴小明 全知觉 王小兰 王光绪 莫春兰 江风益

[摘要]利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(02):0231003

 Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化

熊贻婧 张萌 熊传兵 肖宗湖 王光绪 汪延明 江风益

[摘要]采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaN MQW LED薄膜转移至不同结构的金属基板, 通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(04):531-537

 不同基板1 W硅衬底蓝光LED老化性能研究

汪延明 熊传兵 王光绪 肖宗湖 熊贻婧 江风益

[摘要]将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三...

 PDF全文光学学报 | 2010, 30(06):1749-1754

 气流混合对生长GaN:Si膜性能影响的研究

莫春兰 李鹏 王立 熊传兵 彭学新 辛勇 姚冬敏 李述体 江风益

[摘要]用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响.结果表明:合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性...

 PDF全文光学学报 | 2002, 22(02):2-18106

 金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究

江风益 李述体 王立 彭学新 熊传兵

[摘要]以Al2O3为衬底,采用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了分析.研究表明,金属有机汽相沉积生长高In组分InxGa1-xN薄膜有一...

 PDF全文光学学报 | 2001, 21(12):1463-1466

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