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 GaSb和GaInSb晶体制备工艺研究进展

王晋伟 刘俊成

[摘要]介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)法,总结了它们的优缺点。研究结果表明,VB法、VDS法和VGF法更适合GaSb单晶的生长。进...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(07):070007

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