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 插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响

刘梦玲 高艺霖 胡红坡 刘星童 吕家将 郑晨居 丁星火 周圣军

[摘要]为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象, 提高大功率LED芯片的外量子效率, 在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流阻挡层。采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiO2薄膜, 再经过光刻和BOE湿法刻蚀...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(06):786

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