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 Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展

黄诗浩 李成 陈城钊 郑元宇 赖虹凯 陈松岩

[摘要]理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机...

 PDF全文半导体光电 | 2011, 32(03):304-308

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