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   将选定结果: 

 张应变Ge1-xSnx合金导带结构调控

孙钦钦 黄诗浩

[摘要]采用形变势理论系统地研究了(001)、(110)、(111)晶面双轴张应变以及[001]、[110]、[111]晶向单轴张应变Ge1-xSnx导带结构。结果表明:在 (001)、(110)晶面施加双轴张应变以及[001]晶向施加单轴张应变时,直接带隙Γ能谷...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2020, 57(09):091602

 Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展

黄诗浩 李成 陈城钊 郑元宇 赖虹凯 陈松岩

[摘要]理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机...

 PDF全文半导体光电 | 2011, 32(03):304-308

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