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 CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的光致荧光寿命

程成 邓徐俊

[摘要]采用紫外-可见-近红外分光光度计和稳态/瞬态荧光光谱仪,分别测量了离散在水溶液中的CdSxSe1-x/ZnS量子点的吸收-辐射荧光谱以及及荧光强度随时间的变化,得到了荧光寿命随粒径、x和温度的变化。荧光寿命主要取决于量子...

 PDF全文光学学报 | 2019, 39(08):0830003

 近红外PbS量子点掺杂光子晶体光纤的光传输特性

程成 沈承昱

[摘要]制备了导光波带位于近红外1400~1650 nm的硫化铅(PbS)量子点掺杂光子晶体光纤(QD-PCF)。测量了QD-PCF对980 nm抽运光和1550 nm信号光的吸收。在980 nm激光激励下, 测量了QD-PCF的光致荧光(PL)光谱, 确定了1550 nm中心波...

 PDF全文光学学报 | 2019, 39(05):0506006

 硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用

周之琰 杨 坤 黄耀民 林 涛 冯哲川

[摘要]为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题, 使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量, 提...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(12):1722

 基于钠铝硼硅酸盐玻璃的近红外宽带PbSe量子点光纤的光传输特性

程成 吴宜强

[摘要]用高温熔融二次热处理法, 制备了钠铝硼硅酸盐PbSe量子点玻璃及量子点光纤。光纤中量子点的尺寸为4.73 nm±0.25 nm, 吸收和辐射峰分别位于1450 nm和1500 nm。测量了量子点光纤的吸收谱、光致荧光(PL)光谱、PL峰值...

 PDF全文光学学报 | 2018, 38(11):1106001

 CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的光谱截面及其掺杂光纤的传光特性

程成 黄媛 姚建华

[摘要]测量了不同组份比例x的CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的吸收谱和发射谱,确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面.量子点吸收截面随粒径的增大而增大、随x的增大而减小.采用紫外固化胶,制备了掺杂浓度为0.1~5 mg...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(09):0916001

 GaAs间隔层厚度对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响

刘瑶 王颖 郭庆林 李晓莉 梁宝来 王淑芳 傅广生

[摘要]采用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先,测量低温下改变激发强度的PL谱,底层量子点和顶层量子点的PL强度比值随激发强度...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(08):0816002

 PbSe量子点硅酸盐玻璃光纤的制备及光纤光致荧光光谱特性

程成 席子扬 姚建华

[摘要]对钠硼铝硅酸盐玻璃熔体进行拉丝,再经过退火热处理,制备得到光纤直径80~130 μm的PbSe量子点玻璃裸光纤.透射电镜分析发现光纤中PbSe量子点的晶粒尺寸为4.2~5.5 nm,掺杂体积比约1%.对量子点光纤的柔性进行了初步测...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(06):0616001

 PbS量子点光致荧光寿命的实验测量与确定

程成 李婕婕

[摘要]通过测量PbS量子点的吸收谱、时间分辨的荧光谱以及透射电子显微镜图, 确定了不同粒径、不同温度、不同本底PbS量子点的光致荧光寿命, 得到了描述第一吸收峰波长随量子点粒径变化的经验公式。结果表明, 荧光寿命强关联...

 PDF全文光学学报 | 2017, 37(01):0130001

 外腔面发射激光器自发辐射谱的热特性

詹小红 朱仁江 蒋茂华 胡 平 崔玉亭 张 鹏

[摘要]热效应是限制外腔面发射激光器(VECSEL)输出功率和光束质量的主要原因。为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效应,提高斜效率和输出功率,采用光致荧光谱方法,对设计波长980nm VECSEL自发辐...

 PDF全文激光技术 | 2016, 40(04):610

 时间分辨荧光光谱研究铁电材料锶钡铌氧(SBN)及铬离子掺杂的锶钡铌氧(SBN:Cr3+)的荧光热猝灭和光猝灭

范大勇 王秀丽 冯兆池 李灿

[摘要]本文使用稳态及时间分辨荧光光谱法对陶瓷相铁电材料SrxBa1-xNb2O6(SBN-x)及Cr3+掺杂的SrxBa1-xNb2O6 (SBN:Cr3+)的光生载流子的复合动力学进行了研究。带边激发条件下SBN-70非辐射复合过程在温度高于137 K时已快于辐射...

 PDF全文光散射学报 | 2016, 28(03):259

 CdSe/ZnS量子点光纤纤芯基底的研究

曾凤 朱晓军 王伟

[摘要]量子点光纤正逐渐成为光通信领域的研究热点。首先介绍了CdSe/ZnS量子点掺杂光纤的发展历史,随后给出两种不同纤芯基底材料的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤的制备方法,并对它们的光谱特性及发射峰值增益进行了分析比较,最...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2014, 51(01):010606

 YAG:Ce3+-Yb3+荧光粉的量子剪裁及上转换过程

唐靓 叶慧琪 肖东

[摘要]为进一步探索量子剪裁荧光材料在提高太阳能电池效率方面的应用前景,通过光致荧光光谱研究了YAG:Ce3+-Yb3+荧光粉的光谱转换性质。在激发Ce3+离子(~457 nm)的情况下,样品除了具有Ce3+离子的发光(~540 nm),还具...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(s1):s116002

 飞秒脉冲激光辐照下硅表面光致荧光特性

朱敏 李晓红 谢长鑫 常利阳 杨永佳 邱荣

[摘要]采用钛宝石飞秒脉冲激光对单晶硅在空气中进行辐照,研究了硅表面在不同扫描速度和能量密度下的光致荧光特性。光致荧光谱(PL)测量表明,在样品没有退火处理的情况下,激光扫描区域观察到橙色荧光峰(603 nm)和红色荧光...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(10):101024

 光纤面板窗多碱光电阴极荧光谱特性研究

李晓峰 陆强 郭骞

[摘要]论述了光致荧光的特点以及微光像增强器多碱光电阴极光致荧光的测量原理, 测量了光纤面板输入窗多碱光电阴极的荧光谱. 测试结果表明, 光纤面板窗的多碱阴极的荧光谱不是一条光滑的高斯型曲线, 而是在一条高斯型曲线上...

 PDF全文光子学报 | 2013, 42(02):150-155

 CdSe/ZnS量子点掺杂聚甲基丙烯酸甲酯材料的光致荧光光谱

程成 吴兹起

[摘要]将CdSe/ZnS(核/壳)量子点掺入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),形成(CdSe/ZnS)/PMMA量子点掺杂光纤材料。测量了不同掺杂浓度下的(CdSe/ZnS)/PMMA的吸收谱、发射谱和折射率。与正己烷溶剂中的CdSe/ZnS量子点比较,PMM...

 PDF全文光学学报 | 2013, 33(09):0906003

 用光致荧光研究多碱阴极光电发射机理

李晓峰 杨文波 王俊 邱永生

[摘要]本文介绍了多碱光电阴极的特点及其在微光像增强器中的应用,叙述了光致荧光的原理,探索了利用光致荧光方法来研究多碱阴极Na2KSb膜层电子跃迁几率的方法,并测量了两个不同灵敏度多碱阴极的荧光谱及同一个多碱阴极在...

 PDF全文光子学报 | 2012, 41(12):1435-1440

 Na2KSb膜层组份均匀性对多碱阴极灵敏度的影响研究

李晓峰 陆胜林 杨文波 赵学峰

[摘要]介绍了多碱光电阴极Na2KSb膜层荧光谱的测量原理, 测量了两个Na2KSb膜层样品在不同半径位置的荧光谱.测量数据表明, Na2KSb膜层荧光谱的峰值波长从阴极面的中心到边缘逐步增大, 同时峰值荧光强度也逐步增强.原因是阴极...

 PDF全文光子学报 | 2012, 41(10):1171-1175

 多碱光电阴极光电发射过程研究

李晓峰 张云昆 许有毅 瞿利平

[摘要]论述了多碱阴极及光致荧光的特点, 测量了多碱阴极在514.5 nm和785 nm波长激光激发条件下的荧光谱。结果表明, 多碱阴极在514.5 nm波长激光激发条件下, 荧光峰值强度比785 nm波长激光激发条件下荧光峰值强度强40倍, 说...

 PDF全文红外技术 | 2012, 34(08):435-440

 外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

李影智 邢艳辉 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨

[摘要]采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜, 在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品, 并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1084-1088

 多碱阴极光电发射机理研究

李晓峰 刘如彪 赵学锋

[摘要]通过比较有Cs-Sb表面层多碱阴极和未有Cs-Sb表面层多碱阴极的荧光谱,发现有Cs-Sb表面层多碱阴极的荧光谱峰值波长向短波方向“蓝移”以及荧光峰增强的现象.这一现象表明在多碱阴极Na2KSb基层上制作Cs-Sb表面层之后,不...

 PDF全文光子学报 | 2011, 40(09):1438-1441

 以UV胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点光纤光致荧光光谱的传光特性

程成 林彦国 严金华

[摘要]制备了一种以紫外(UV)固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤.通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧光峰值强度与量子点掺杂光纤浓度和长度的关系,确定了UV胶纤芯本底下的量子点的吸收...

 PDF全文光子学报 | 2011, 40(06):888-893

 超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱研究

李晓峰 宋开俊 刘如彪 杨文波

[摘要]利用785 nm波长激光作为激发源,测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯型曲线,而是一条在高斯型荧光谱上叠加了一定频率间隔小锯齿峰的曲线.经实验验证和理...

 PDF全文光子学报 | 2011, 40(10):1459-1463

 磷酸二氢根离子对香豆肼化合物的高选择性荧光增强

张亚男 杨林林 周硼 段春迎

[摘要]设计合成了荧光探针N,N-二乙基氨基香豆素-3-肼基-2,4-二硝基苯肼(DC)。光谱滴定实验显示,H2PO-4与DC能够以1∶1的化学计量比形成配合物。进一步的实验发现,和相同含量的DC溶液相比,该配合物溶液的相对光致荧光强度...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(09):962-967

 气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光

李辉 何涛 戴隆贵 王小丽 王文新 陈弘

[摘要]利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子...

 PDF全文发光学报 | 2011, 32(08):789-792

 CdSe/ZnS量子点光纤光致荧光光谱的红移

程成 林彦国 严金华

[摘要]制备了一种CdSe/ZnS量子点掺杂光纤,测量了不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱,得到了荧光峰值波长的红移随量子点光纤掺杂浓度和光纤长度的变化。观测对比了4种不同纤芯本底材料(UV胶、甲苯、正己烷和正...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(04):0406002

 通过量子点与微芯圆环腔可控位置耦合产生的光致荧光

吴晓伟 邹长铃 尉伟 孙方稳 郭光灿 韩正甫

[摘要]我们将CdSe/ZnS量子点同微芯圆环腔进行耦合,来研究其中的腔量子电动力学效应。基于回音壁模式的微芯圆环腔在可见光波段,显示出具有很高的品质因数和小的模式体积。于是,借助于光纤锥,我们将量子点粘附在锥上,实现...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2010, 8(07):709

 低浓度掺杂CdSe/ZnS量子点光纤光致荧光光谱特性研究

程成 彭雪峰 严金华

[摘要]制备了一种半导体量子点CdSe/ZnS低浓度掺杂的光纤,测量了不同掺杂浓度和不同光纤长度下光纤出射端的光致荧光光谱,分析了掺杂光纤长度和浓度对量子点光纤荧光光谱特性的影响.结果表明,与掺入光纤前相比,光纤中的量子点...

 PDF全文光子学报 | 2009, 38(07):1751-1756

 飞秒激光形成的半导体低维结构与发光

张荣涛 许丽 吴克跃

[摘要]采用飞秒激光辐照硅和硅锗样品,用扫描电子显微镜(SEM)观察样品,发现样品上产生了某些低维结构。用飞秒激光作用产生等离子体相干驻波对硅和硅锗表面的融蚀模型来解释低维结构的形成机制,发现硅的表面周期约为400 nm的...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(03):743-746

 较高掺杂浓度下CdSe/ZnS量子点光纤光致荧光光谱

程成 曾凤 程潇羽

[摘要]制备了一种较高浓度掺杂的CdSe/ZnS 量子点掺杂光纤。测量了不同掺杂浓度和不同光纤长度下的量子点光纤光致荧光光谱,得到了荧光峰值增益最大时的量子点掺杂浓度和光纤长度。与低浓度掺杂光纤相比,较高掺杂浓度光纤中的...

 PDF全文光学学报 | 2009, 29(10):2698-2704

 InGaAs/GaAs单量子阱PL谱的温度变化特性

范伟 徐晓轩 孙秀峰

[摘要]采用分子束外延方法制备了InGaAs/GaAs单量子阱, 利用自组装的光致荧光探测系统, 对其进行了光致荧光谱研究。考察了不同温度下荧光峰波长、峰形的影响。研究结果表明: 高温时荧光主要是源于带—带间载流子跃迁, 而在低...

 PDF全文光散射学报 | 2008, 20(02):182-185

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