红外, 2018, 39 (3): 44, 网络出版: 2018-04-25
碲镉汞红外焦平面阵列探测器技术的最新进展(下)
摘要
在过去的50多年中，采用碲镉汞材料的红外探测器技术发生了很大的变化，从整块晶体生长和单个光电探测器制备发展到了非常复杂的外延生长材料和高密度成像焦平面阵列。然而，现在的基于碲镉汞的红外系统依然离不开笨重且昂贵的低温制冷技术。因此，人们把这一领域的研究与发展重点集中在了提高像元密度，降低冷却功率和提高加工成品率上。
Abstract
高国龙. 碲镉汞红外焦平面阵列探测器技术的最新进展(下)[J]. 红外, 2018, 39(3): 44. 高国龙. [J]. INFRARED, 2018, 39(3): 44.
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