激光与光电子学进展, 2019, 56 (4): 040003, 网络出版: 2019-07-31   

砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用 下载: 2768次

Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers
作者单位
1 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心, 北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
摘要
综述了世界各国近年来在大功率半导体激光器方面所取得的研究成果,重点介绍了砷化镓基近红外大功率半导体激光器在输出功率、亮度、电光转换效率、光束质量、寿命与可靠性方面的研究进展。结合目前市场分析,详细阐述了半导体激光器的应用前景,展望了未来大功率半导体激光器的发展趋势。
Abstract
The recent research achievements on high-power semiconductor lasers in various countries of the world are reviewed. The research progress is mainly introduced in terms of output power, brightness, electro-optical conversion efficiency, beam quality, lifetime, and reliability of GaAs-based near-infrared high-power semiconductor lasers. Combined with the current market analysis, the application prospect of these semiconductor lasers is elaborated. The development trend of high-power semiconductor lasers in the future is forecasted.

袁庆贺, 井红旗, 张秋月, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(4): 040003. Qinghe Yuan, Hongqi Jing, Qiuyue Zhang, Li Zhong, Suping Liu, Xiaoyu Ma. Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(4): 040003.

本文已被 12 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!