中国激光, 2020, 47 (7): 0701000, 网络出版: 2020-08-12   

“半导体激光器”专题 前言

作者单位
摘要
自1962年第一只半导体激光器成功问世以来,这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光**等现代科学技术的各个方向,成为现代工业的变革性力量,是各国高科技领域竞争的制高点,是“新型基础设施建设”中的核心。在国家多个科技计划支持下,我国科研人员先后实现了波长覆盖600~1550 nm的GaAs和InP半导体激光器产业化,且随着宽禁带GaN材料外延技术的不断进步,又先后实现了蓝光和绿光波段激光器的室温激射,并正向紫外方向拓展。在长波方向,基于能带剪裁的量子级联激光器已经覆盖了3~25 μm和太赫兹波段,锑化物激光器在2~4 μm波段实现商用。Si基或Si上半导体激光器则有望成为高速低功耗片上光互连的光源。近年来,垂直腔面发射激光器在数据中心、人脸识别等新兴方向的广泛应用,带动了国内半导体光电器件的新一轮研发和产业发展热潮。相信在科技和产业的相互推动下,半导体激光器的性能还将不断提高,并在5G、人工智能等新兴高科技领域中发挥更加重要的作用。
Abstract

黄永箴, 郭霞, 宋清海, 张青. “半导体激光器”专题 前言[J]. 中国激光, 2020, 47(7): 0701000. 黄永箴, 郭霞, 宋清海, 张青. [J]. Chinese Journal of Lasers, 2020, 47(7): 0701000.

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