激光与光电子学进展, 2019, 56 (12): 120001, 网络出版: 2019-06-13   

808 nm垂直腔面发射激光器阵列抽运的全固态激光器研究进展 下载: 1592次

Research Progress on 808 nm VCSEL-Array-Pumped Solid-State Lasers
刘芳华 1,2龚鑫 1,2张雅楠 1,2孟俊清 1,2,*陈卫标 1,2
作者单位
1 中国科学院上海光学精密机械研究所空间激光传输与探测技术重点实验室, 上海 201800
2 中国科学院大学材料与光电研究中心, 北京 100049
摘要
与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有线宽窄、光束质量好、可靠性高和制造成本低等优点。随着808 nm VCSEL阵列的输出功率和转换效率的提高,VCSEL阵列成为了固态激光器抽运源的新选择。介绍了VCSEL的性能优势、应用场合及发展现状,综述了VCSEL阵列抽运的固态激光器的研究进展,讨论了其技术缺陷及发展前景。
Abstract
When compared with the traditional edge-emitting semiconductor lasers, the vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) offer several advantageous properties, including a narrow line width, superior beam quality, high reliability, and low manufacturing cost. Recently, with an increase in the output power and power conversion efficiency of the 808 nm VCSEL arrays, they have become an attractive alternative for the pumping sources of solid-state lasers. In this study, we introduce the performance advantages, applications, and status of the VCSELs. As for the VCSEL-array-pumped solid-state lasers, the research progress is reviewed, and the development prospect as well as their technical shortcomings are discussed.

刘芳华, 龚鑫, 张雅楠, 孟俊清, 陈卫标. 808 nm垂直腔面发射激光器阵列抽运的全固态激光器研究进展[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(12): 120001. Fanghua Liu, Xin Gong, Yanan Zhang, Junqing Meng, Weibiao Chen. Research Progress on 808 nm VCSEL-Array-Pumped Solid-State Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(12): 120001.

本文已被 7 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!