邀请报告:
 
报告人:曹鸿涛
报告题目:ZnSnON (ZnSnN2)薄膜材料和光电器件研究
摘要:电子/光电子功能材料是当前电子开关、发光二极管(LED)、光电探测器、太阳能综合利用等信息与能源技术的基础,新型高质量功能薄膜材料的成功研发可以推动一系列相关产业的发展。ZnSnON (ZnSnN2)具有带隙可调、吸收系数大、组成元素丰度大且无毒、可低温制备等优点,在薄膜太阳能电池、新型显示、宽光谱探测等方面均展现出应用潜力。采用磁控溅射技术,在石英、硅片、柔性PET等衬底上制备了ZnSnON (ZnSnN2)薄膜,并可以通过成分调节、生长工艺和后处理工艺优化对薄膜的相结构、光学和电学性能进行调控。所制备薄膜可用于构筑p-n结、薄膜晶体管、光电探测薄膜晶体管等器件,表现出优异的电学和光电响应特性。
报告人简介:曹鸿涛,本科和硕士毕业于东北大学,2004年博士毕业于中国科学院金属研究所。2007年3月-至今任职于中国科学院宁波材料技术与工程研究所纳米材料与功能器件事业部,研究员,获得“团队行动”项目支持。2007年进入浙江省“新世纪151人才工程”第三层次培养计划,2012年进入宁波市领军拔尖人才培养工程第二层次。目前主持的项目有国家自然科学基金四项、浙江省钱江人才计划项目、宁波市基金项目,作为骨干参与国家重点基础研究发展计划纳米专项、中科院创新团队国际合作伙伴计划项目、浙江省重点科技创新团队项目和宁波市科技创新团队项目。主持工业界合作项目四项。目前主要研究领域:新型氧化物半导体薄膜,氧化物高κ介电薄膜,半导体元器件及电路,光学薄膜及应用。已在Adv. Mater., Nano Energy, Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B, ACS Appl. Mater. Interfaces, J. Electrochem. Soc., IEEE Electron. Dev. Lett., Optics Lett.等国际核心刊物上发表了七十余篇SCI论文,论文他引一千余次;申请和授权国家发明专利近二十项,先后指导、培养博士后、博士、硕士研究生二十余名。
报告人:程红娟
报告题目:β-Ga2O3单晶Si掺杂机理分析
摘要:导模法制备β-Ga2O3单晶技术突破以后,β-Ga2O3衬底相关功率及紫外器件性能在短时间内即已获得较大突破,使该领域成为目前宽禁带材料研究的一个热点,这也进一步推动了β-Ga2O3单晶生长和相关器件的深入研究。 不同领域对β-Ga2O3衬底电学性能有不同要求,目前在导模法生长中,可以掺杂Si等元素实现N型低阻。但具体掺杂过程中,出现一些电阻率的变化及不稳定等现象,其原因尚不明确。 本文通过模拟计算,估测出在掺杂过程中,Si原子的存在形式及对电学性能的影响。并结合热处理实验、透过率及不同深度XPS测试等,对Si原子的掺杂机理进行分析,说明二次热退火工艺对Si掺杂β-Ga2O3电学特性的影响,为更稳定的Si掺杂工艺提供参考。
报告人简介:程红娟:高级工程师,中国电科46所研发部副主任,主要从事GaN、氧化镓等宽禁带材料单晶生长、测试及计算机仿真模拟工作。目前已发表EI、核心刊物科技论文多篇;2011年所在项目组被评为天津市国防科技工业“十一五”突出贡献先进集体;2014-2017年参与项目获“国防科技进步奖”三等奖3项;2014年入选天津市“131”一类人才培养计划。
报告人:冯倩
报告题目:β-Ga2O3材料的外延生长与器件的研究
摘要:
报告人简介:冯 倩:女,教授, 1976年12月出生,陕西西安人,2004年获得微电子学与固体电子学博士学位,同年留在西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室工作。2014年7月晋升为教授。主要研究方向为宽禁带半导体材料的外延生长与相关器件的研究。先后承担和作为主要成员参加了省部级以上科研项目20余项,获得国家技术发明二等奖1项目,省部级科技奖4项,获得授权国家发明专利10余项,受理国家发明专利30余项,在国际国内核心刊物上发表学术论文30余篇,其中SCI收录20余篇。
报告人:郭東昊
报告题目:鎵相關化合物與其機能性應用
摘要:Four types of Ga-related compounds are presented: (1) Ga-based nitrides and (2) IGZNO by reactive sputtering; (3) Ga2O3 precipitates in enhancing UV photocatalysis, and (4) GaOOH grown from the solution route and its annealed Ga2O3 nanorods. n-type dopants of Sn and Ge, p-type ones of Cu, Mg, and Zn, and their mixture have been studied on GaN, InGaN, or AlInGaN films and their devices, fabricated at and below 400oC by reactive sputtering. The incorporation of nitrogen into IGZO semiconductors prepared at and below 400 oC is for the purpose
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