优点：先进的箱体结构

技术规范：
压力范围：40pa—650pa,相应于0.3Torr—5.0Torr
气体流动：典型100sccm—10slm
冷却水：﹥3l/min@6.0bar
最大微波功率：3000W
激励频率：2.46GHZ±10MHZ
电源电压：交流380—400V，3相，50/60HZ
优质的箱室清洗,各向同性蚀刻,表面修饰及背面端涂敷
箱室清洗：
由于在低压状态原子团非常高的迁移率，复合式结构的工艺箱的清洁处理在低至0.3Torr（40pa）的压力下有很好的效果

各向同性蚀刻
对于SU—8迁移超过20um/min
对硅多种样品达90 um/min
对300mm晶片上光电保护层灰分达到10 um/min
SiN和BPSG：典型1 um/min
热氧化物：典型250 nm/min

表面修饰
硅表面的氧化和氮化
背面端涂敷
研磨后的应力去除和晶园减薄：在许多12〞晶园上保持5%的均匀性，刻蚀率达到3.5um/min
可做DBG加工处理