具有腔内滤光器的共焦和非共焦负支非稳腔应用于高增益、短脉冲紫外予电离氯化氙激光器,在上述两种腔结构,研究了各种空间滤光器条件下的近场和远场辐射特性,获得了有规则强度空间剖面的高亮度激光束,特别是非共焦机构,最大束亮度达1.3×10~(14)瓦·厘米平方·立体角,并且观察到,这种腔结构对于失调的低灵敏度.

本文描述了一个单频钕玻璃激光器,它采用脉冲透射式Q开关和腔反射镜选模技术,获得了脉宽5ns,能量0.5mJ的单模激光脉冲.同时测量了其输出激光的空间、时间和光谱特性,其实验结果与最佳耦合Q开关激光理论的预测值一致.

本文引入描述分布反馈半导体激光器中光场纵向分布不均匀对其阈值条件影响的αp和δp因子.建立了包含空间烧孔效应的速率方程模型,并给出小信号强度、频率调制响应表达式.数值求解理想分布反馈半导体激光器的αthL和δL随平均光子密度变化曲线及对应的αp和δp因子.数值模拟表明,空间烧孔对调制特性影响甚大,频率调制相应与偏置电流有关,为得到较宽的调制频带必须适当选择工作点.

本文从理论上分析了单模光纤与行波半导体激光放大器之间的耦合特性,导出一套简捷的设计光纤耦合头公式,比较不同的结构参数对光纤头耦合性能的影响,选出一种最佳设计方案.经实验验证.采用本文提出的光纤头微透镜处理技术,可使光纤-光放大器耦合损耗降至-3dB.

利用掺Co:(KNa)0.2(Sr0.75Ba0.25)0.9Nb2O6晶体实现了无外场,无外反射镜、无外加泵浦光束的自泵浦连续波相位共轭,其相位共轭反射率达到40%,阈值功率小于0.02 W/cm2,首次利用此晶体以梯形切割实现了光折变晶体单区域四波混频相互作用产生自泵浦位相共轭波.

厚1.5 mm的KNbO3晶体在室温下角度相位匹配倍频脉冲参量激光获得427～470nm蓝紫光,能量转换效率超过40％,输出单脉冲蓝紫光的峰功率达60kW.对相位匹配曲线、倍频效率与基波光强的关系和相应匹配角允差作了计算和讨论.

本文报道一种新型的三次非线性光学薄膜——花青一花生酸(OY-AA)复合Langmuir-Blodgett(LB)膜以及采用BOXCARS结构的简并四波混频在LB膜中实现多重前向光学相位其轭波输出的现象.该输出的方法既是一研究介质三次非线性光学性质的有效手段,而且可望在光学图象处理中有着其独特的应用.

本文在理论上给出了对二维R-N(喇曼-奈斯)型声光作用的光学双稳系统普遍适用的动态方程,并由此导出了该声光光学双稳系统的稳态解,借助于计算机给出了取(1,0)级作为反馈级次情况下的几个级次输入～输出关系曲线,并对此进行了稳定性分析;在实验上对该理论进行了验证,实验结果与理论相符.

本文利用由RKR方法计算得到的锂分子23∏g态和a3∑u+态(束缚部分)的势能曲线求解振动薛定谔方程,获得了23∏9—a3∑u+跃迁的F-C因子,自发辐射系数,进而计算了该跃迁的荧光强度和受激辐射带强度的光谱分布,其结果与实验测得的由双光子激发锂分子产生的受激扩散带辐射相吻合.

首次报道了四-对羟基苯基卟吩/有机玻璃体系(THP/PMMA)的单光子永久性光谱烧孔.研究了烧孔特性和成孔条件.测量了孔的稳定性,在液氦温度下孔的保存时间已超过几个小时.实现了孔的擦除和重复烧孔.探讨了烧孔机制,认为激光诱导质子转位变构是导致该体系永久性光谱烧孔的原因.

本文研究氢原子在会聚的线偏振强激光场中原子势的变化以及由此而引起的原子能级移位和波函数的空间扩展问题.结果表明,变化后的原子势等价于半径由外场决定而荷电量为核电荷的振荡球壳的势.在此势下,原子能级将变浅和分裂,波函数的空间分布将增大.

本文从理论上分析了光学薄膜中的三种基本缺陷:折射率消光系数、表面粗糙度以及折射率不均匀性对薄膜内导波传播衰减的影响.基于这些缺陷对光学薄膜内不同导模传播衰减作用的不同,提出了一种区分薄膜中的吸收与散射损耗的方法.

利用均匀线聚焦激光产生的等离子体和软X针孔透射光栅谱仪获得了均匀的线状软X光单色光源.在这一光源基础上,利用加阶梯膜的新方法首次标定了国产无保护层5F软X光胶片在软X光波段的响应特性.

本文设计了一种新系列的紫外或远紫外激光光刻物镜,它与国内外已有的紫外物镜相比,在365nm以下的光谱区,具有更宽的光谱工作带宽和较高的数值孔径.以宽带准分子激光或短弧汞氙灯做光源,无需另加色散补偿光学元件,可以进行同轴对准.

本文利用光线追迹法,对双折射波片用于发散光束的偏振像差进行了分析,并以标准1/4波片为例,给出了小角入射时的近似处理方法.

本文分析了具有线性扫频高斯型超短光脉冲衍射场的能量分布,教学计算结果显示了线性扫频对衍射场的影响.通过衍射分析可以获得光脉冲的信息.

二能级原子各态几率随脉冲面积的变化过程将呈现2π准周期衰减振荡,这一结果可为研究任意强激光脉冲作用下的原子行为提供很好的普遍演变图象.

本文系统地研究了热致相变对射频磁控溅射的GaSb薄膜光学性质和微观结构的影响.发现在270℃左右具有连续无序网络结构的非晶GaSb薄膜发生相变,转变为具有立方晶系的多晶薄膜,其晶格常数为α0=0.6095nm,相变后薄膜的吸收减小,GaSb薄膜的光能隙由0.7eV升高为0.94eV.用精密四探针法测量了GaSb薄膜电阻随温度变化的过程.给出了GaSb薄膜的一次写入记录特性,研究了光致晶化记录畴的微结构.

首次实验观察到在1064 nm激光泵浦下掺Er3+石英光纤中的共振增强受激四光子混频现象和光学自由感应衰减过程.在频域和时域上实验证明了Er3+的4I11/2激发态能级对受激四光子混频产生的反斯托克斯谱线的增强效应.