期刊基本信息
创刊:
1964年 • 半月刊
名称:
激光与光电子学进展
英文:
Laser & Optoelectronics Progress
主管单位:
中国科学院
主办单位:
中科院上海光机所
出版单位:
中国激光杂志社
主编:
范滇元
执行主编:
邱建荣
副主编:
戴琼海 张龙 张雨东 曹良才
ISSN:
1006-4125
刊号:
CN 31-1690/TN
电话:
021-69918427
邮箱:
地址:
上海市嘉定区清河路390号
邮编:
201800
定价:
120元/期

本期栏目 2002, 39(9)

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激光与光电子学进展 第39卷 第9期

作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 1
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 11
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 12
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 13
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 14
作者单位
摘要
高功率激光物理国家实验室,中国科学院上海光机所,上海,201800
总结了高功率钛宝石激光放大系统的研究成果及研究状况,并展望了今后的发展方向和发展趋势.
啁啾脉冲放大 钛宝石激光放大器 超强超短脉冲 
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 15
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 22
作者单位
摘要
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 24
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 26
作者单位
摘要
南开大学物理系,天津,300071
利用体全息技术制作波分复用器件是一种新方法.本文介绍了此种方法的基本原理和器件的基本性能,并报道了国外对该项技术的研究进展。
体全息 波分复用 通信 
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 27
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 32
作者单位
摘要
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 35
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 36
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 37
作者单位
摘要
天津大学生物医学工程与科学仪器系,天津,300072
THz射线是介于微波和红外光之间的电磁波,可被用于图像分析系统,实现对物体的无损检测、分析蛋白质等大分子的三维乃至四维结构.本文介绍了THz射线的概念、特点、应用及其发展前景.
THz射线 飞秒 THz射线图像 
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 38
作者单位
摘要
1 北京应用物理与计算数学研究所,计算物理国家重点实验室,北京,100088
2 南开大学物理学院,天津,300071
惯性约束聚变(ICF)的中期结果在**与科学方面有重要应用价值,但最终目标是想解决人类的惯性聚变能源(IFE)问题.如果能有新的方式使高密度燃料小囊点火就有可能使这一多年来孜孜以求的梦想变成现实.本文综述聚变能源的材料、原理和研究现状,快点火的原理和可行性研究,提出获得聚变能的一些设想和展望。
惯性约束聚变 快点火 惯性聚变能源 
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 4
作者单位
摘要
山东大学晶体所,济南,250100
介绍了白光发光二极管作为照明光源的发展优势.详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理,并讨论了制作过程,包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用.最后对器件性能作出评价.
双基色发光二极管 白光发光二极管 选择性腐蚀 Bonding技术 
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 41
作者单位
摘要
在一台电-光调Q、平均输出功率200W(重复率2.5kHz,脉冲能量80mJ,脉宽25ns)二极管抽运的Nd:YAG板条状激光振荡器上获得约100w倍频激光.其中的Q开关是一个补偿式z轴传播的LiNbO3电光调制器,倍频晶体是一块KTP薄板.另外,描述了运转在平均功率约250w、脉宽26ns时,Q开关的工作特性.
二极管抽运固体激光器 铌酸锂 电-光调Q 倍频晶体KTP板 
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 45
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
为发展高效率硅发光器件和硅基集成电路技术正付出很大努力[1]。尽管研究了几种途径[1~6],最近都受到低发射效率的困扰,在0.01%~0.1%范围就是高值[2]。本文报道的硅发光二极管功率转换效率有很大增长,在室温附近达到1%以上,接近十余年前典型直接禁带发射器[7,8]的值。该器件基于普通的单光子和双光子辅助次禁带弱光发射过程,通过把位于有关的次禁带波长的吸收最小化,同时减小二极管内寄生无辐射复合的作用范围,利用了光吸收和光发射的交互作用。上述两个特征分别表明发射效率改善10倍,得到的效率较基线装置高100倍。
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 48
作者单位
摘要
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 53
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 54
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摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 55
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 56
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 56
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摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 57
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 57
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摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 57
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摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 58
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 58
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 58
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 59
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 59
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 60
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 60
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 61
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 61
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 62
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 62
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
激光与光电子学进展
2002, 39(9): 9