期刊基本信息
创刊：
1964年 • 半月刊
名称：
激光与光电子学进展
英文：
Laser & Optoelectronics Progress
主管单位：
中国科学院
主办单位：
中科院上海光机所
出版单位：
中国激光杂志社
主编：
范滇元
执行主编：
邱建荣
副主编：
戴琼海 张龙 张雨东 曹良才
ISSN：
1006-4125
刊号：
CN 31-1690/TN
电话：
021-69918427
邮箱：
地址：
上海市嘉定区清河路390号
邮编：
201800
定价：
120元/期
激光与光电子学进展 第40卷 第3期
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A.
金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱 