较全面地讨论了高峰值功率的LiF:色心晶体调Q YAG倍频激光器的稳定性。对谐振腔、聚光腔、闪光灯、倍频器、调Q器件及发射激光谱线中的不稳定性进行了理论分析和实验测量,给出了相应的数据和图表。

对于单模均匀展宽的行波激光器,利用海森堡方程,得到了描述激光器的Maxwell-Bloch方程组。利用计算机数值模拟的方法研究了泵浦参数受调制的情况。观察到一系列“正”的极限环与“倒”的混沌带的倍周期分岔序列,以及嵌在混饨带中的f/3周期窗口,并计算了收敛常数δn。另外,在此模型里,大量存在由一个单一极限环的平凡吸引子到混沌的奇异吸引子的突变过程。还给出了部分参数区间的瞬态行为,其稳态虽然是单一的极限环运动,但暂态却随参数的改变呈现出准周期不稳定性及混沌的复杂运动形式。

报道了在1.55 μm InGaAsP/InP激光器中发现的0.95 μm波长高能发光峰的一系列实验结果,并通过分析肯定了InGaAsP有源区的Auser复合是造成载流子向两侧inP限制层漏泄的主要原因,也是影响1.55 μm InGaAsP/InP DH激光器T0值的主要因素。

报道了用激光二极管纵向泵浦掺钕钒酸钇晶体的激光实验结果。当输入功率为320 mW时,激光输出为78.8 mW,光-光转换效率为24.6％。

提出铜蒸气激光器窗口污染主要是由放电管中钻电极的溅射以及金属钢原子的热扩散引起。对10 W的国产器件,当连续运转100 kWh后,窗口透过率由80％下降至65％左右,同时用化学方法测得吸附于器件富片内表面沾污层中钻铜含量比为3:1。另外,还讨论了窗口沾污对器件输出功率等因素的影响。最后,实验采用加长器件阳极端部管长的方式减少沾污,并得到了实际应用。

提出了一种利用双折射单模光纤扭转时产生的圆双折射性获得保圆偏振的新方法,该法应用于光纤耦合器的基本思想是通过有效地改变扭转光纤在耦合区域的单位扭转度,从而达到光纤之间实现保圆耦合的目的。同时,用耦合模方程分析了利用该法构成的2×2单模光纤耦合器的耦合行为,结果表明光纤耦合器达到了较好的保圆耦合。

从光学基本原理出发,得到了四面柱体转镜扫描的非线性解析解,并进行了数值计算,从而给出了四面柱体转镜扫描的非线性曲线。在理论分析的基础上,设计了一种单片双面镜二维扫描系统。利用该系统能有效地克服多面柱体转镜一摆镜二维扫描系统的非线性特性,给后续的计算机实时图像处理工作带来了方便。

基于双光束耦合的原理及实验结果,计算了纯LiNbO3和Fe:LiNbO3晶体中的有效载流子密度,对结果进行了讨论,指出光折变LiNbO3中氧空位色心也是载流子施主之一,且被激发的Fe2+仅占晶体中Fe2+浓度的一小部分。

报道了国产纯石英光纤弯曲特性的测量结果,得到了光纤的弯曲损耗与芯径、弯曲半径的关系曲线,并对测量结果进行理论分析。

根据Dexter敏化发光理论建立Ti3+-Ti3+离子间能量共振转移模型,计算出Ti:Al2O3晶体发生浓度猝灭的Ti3+离子临界距离Rc及晶体掺杂的临界浓度Nc与实测光谱数据进行比较,认为浓度达到N=1.28×1020 cm-3(或0.38wt％),相应峰值吸收系数为α490=6.0 cm-1时,仍未发生明显的浓度猝灭现象。

合成了吸收在红外域1270 nm的红外调Q、锁模染料,它的四氯乙烯溶液及聚甲基丙烯酸甲酯薄膜能对1064 nm和1079 nm激光进行满意的调Q,脉宽为4～7 ns。当用其二甲基亚砜溶液对1079 nm和1340 nm激光进行锁模时,显示出优良性能,锁模脉宽为30～50 ps。

制备并研究了染料掺杂EO—PVA有机材料膜片的存储性能.用氩离子单线激光作光源,获得了良好的实时和长时存储图像信息.最低存储功率密度可小于0.2 W/cm2。分析了该材料的存储机理,确定了最佳存储参数。

报道用偏振光谱对频域存储有机材料THP/PMMA进行持久性光谱烧孔,获得了一般方法难以得到的400％以上孔深的各向异性孔。着重讨论固体偏振光谱烧孔理论及快速成孔机理,并在实验上观察到各向异性成孔动力学过程,理论和实验上得到很好的拟合。展示了偏振光谱烧孔技术在频域光存储和固体高分辨光谱应用的良好前景。

用全息术在光致聚合物全息于版上制备出全息耦合光栅。将光信号耦合进玻璃光导板中,使其在光导板中全反射,以锯齿形式传播。再经出射光栅耦合出来。在光导板上实现1点对1点的光互连,互连效率约为25％。

研究了不锈钢表面镍铬激光熔敷层的组织与耐磨性能。结果表明,熔敷层组织细小均匀,有硬化相存在,并具有良好的耐磨性能。

采用高功率CO2激光诱导高纯硅烷气相反应,制备出粉体平均粒径为10～120 nm,晶粒度与平均粒径比为0.3～0.7的各种纳米结晶硅粉。制备出的硅粉粒度均匀,粒子呈球形,但部分粒子间出现烧结。粉体粒径随激光功率、反应压力的增加而增加,随硅烷流量、稀释Ar气的增加而减小。晶粒度对硅烷流量和反应压力的变化不敏感,但随激光功率的降低和混合Ar气的增加而明显减小。Si粒子的形成经历了单晶粒子的生长和这些粒子间的碰撞生长过程。