在平凹稳定腔中用Cr4+:YAG作为可饱和吸收体实现了脉冲Nd:YAG激光器的被动锁模运转,得到平均脉宽为190 ps,输出能量为22 mJ的脉冲序列。理论上分析了Cr4+:YAG被动锁模的动力学过程以及Nd:YAG的克尔透镜自聚焦在被动锁模中的作用。

探讨了利用半共焦腔的“反演”特性及放电区增益分布特性以及调节平面高反膜红外输出耦合窗口来获得不同的对称性、均匀性良好的激光输出花样,并通过实验获得了与理论相符的结果。

介绍了九十年代发展起来的超瑞利散射(HRS)技术的简史、理论、研究意义以及作者目前的研究工作。HRS是溶液或气体中分子的二阶或高阶非相干散射,通过HRS技术不仅可以测定分子的超极化率,还可以了解分子结构和分子间的相互作用。给出了HRS技术的实验装置及分析方法,并总结了其优越于传统的电场诱导二次谐波产生(EFISHG)技术的一些特点。

相移器是相移干涉计量中的关键技术,对测量精度有很大的影响,关系到相移技术的成败。介绍了一种闭环控制的高精度相移器,输出电压精度为0.1%,相移器重复误差小于3°,用该相移器的电子散斑干涉计量系统测量精度可达λ/100。

报道了一种新颖的激光功率与模式实时监测仪的研究结果。该监测仪可同时在线实时检测10～1500 W激光功率和激光模式信号。响应迅速且性能稳定,是激光加工中理想的监测设备。

在已有光纤光栅调谐技术的基础上,研究了一种由不同光谱特性的光纤光栅组成的光栅对,用于测量光纤光栅谱线结构。并给出了测试结果。

提要 介绍了利用光腔衰荡光谱技术高精度地检测高反镜的反射率的实验方法。利用直型和折叠型衰荡光腔结合,可以高精度地测定高反镜的反射率。实验结果表明这一方法可以精确地测定各种反射角度、镜片基底和尺寸的高反镜的反射率,而且还可以检测实际工作气氛下高反镜的反射率。

理论分析了四频差动激光陀螺中由于镜片的S-P相位和Q的各向异性及光束不过水晶片光轴等因素所引起的左、右旋偏振模式间的差分损耗。这种差分损耗会导致激光陀螺中零漂的形成。这一问题的研究对陀螺性能的改进具有重要的参考价值。

研究了衍射强度均匀分布的二元位相光栅的设计原理,利用微电子工艺加工了16个衍射点强度均匀分布的二元位相光栅,并给出了实验结果。

用Jones算法讨论了半波片和偏振片组合衰减装置的一般特性,得出了衰减量控制精度的表达式。最后给出了φ45 mm石英晶体半波片和偏振片组合衰减装置的实验结果。

在传统的半解析Monte Carlo方法的基础上作了进一步改进,用扭曲的Henyey-Greenstein函数(H-G函数)来表示散射相位函数,并由H-G函数直接得出散射角θ的表达式。计算结果表明,用此方法对海洋激光雷达接收信号的模拟与实验结果十分吻合。

建立了描述激光强度稳定器频率响应特性的数学模型。进行了相应的实验研究。理论分析与实验结果基本相符。

采用氙灯泵浦,Cr4+:YAG被动调Q, 实现了自倍频晶体NYAB调Q激光运转,测量了Cr4+:YAG不同小信号透过率及不同泵浦能量下绿激光单脉冲的输出能量、脉冲宽度、重复率,给出了描述NYAB晶体Cr4+:YAG调Q工作原理的耦合波方程组,数值求解该方程组所得的理论结果与实验值相符。

将针孔透射光栅谱仪和X射线CCD相结合,探测到超短脉冲激光(<60 fs)与多种固体平面靶相互作用而产生的、波长范围在1～15 nm之间的高重复频率X射线发射,随着入射激光能量的增加,各种靶不同的X射线带的发射呈线性增长,并发现在超短脉冲激光作用下,L带发射效率最高元素的原子序数比长脉冲打靶时要来得小。

分析了衍射与无衍射光束的特点,讨论了无衍射光束的判据,指出衍射实质上是波动方程的非本征解光束在传输过程中趋于本征解光束的特点。

提出并通过数值计算证明,若周期性地改变光纤的三阶色散系数,则可有效地抑制三阶色散对色散位移光纤中孤子效应脉冲压缩的影响。

报道了以β射线源为光源,二维点阵闪烁光纤束为位置灵敏探测器,与像增强器、CCD摄像机、微机构成的二维成像系统,给出了成像实验结果,并讨论了其固有空间分辨和应用前景。

运用激光熔覆技术在AISI1045钢表面制备了30vol-% SiCp/Ni-Cr-B-Si-C涂层。SEM和TEM观察分析表明：SiCp在熔覆过程中完全溶解；涂层结合区组织为共晶结构；涂层组织由初生石墨球G,分布在γ-Ni固溶体枝晶中的M23(C,B)6细小网状树枝晶以及少量Ni+Ni3(B,Si)层片状共晶组成；Si在Ni固溶体中的固溶度显著增大,高达14.41wt-%；M23(C,B)6含有高密度堆垛层错；Ni3(B,Si)相具有长周期结构。

利用准分子脉冲激光(XeCl,λ=308 nm)对Si,红宝石和钛宝石靶进行消融,从而得到SiO2和红宝石、钛宝石的钠米级粉末。用透射电镜对粉末的物质形态进行分析,并对消融产生的纳米颗粒在其颗粒大小及分布上予以分析统计。

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝(AlN)薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Al和N发生完全反应制备高质量符合化学计量比的AlN薄膜。讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响。实验结果表明,当DE=1.0 J*cm-2,PN2=13.333 kPa,Tsub=200℃,V=650 V,f=5 Hz,dS-T=4 cm时,高质量的AlN薄膜被成功地沉积于Si(100)基片上。分析表明薄膜是具有高取向性的AlN(100)多晶膜,薄膜的能带间隙约为6.2 eV,其电阻率和击穿电场分别为2×1013 Ω*cm和3×106 V*cm-1。

采用激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成了SiC纳米陶瓷粉,对其合成工艺进行了研究,用多种分析手段对粉体进行了测试表征,同时对合成的非晶纳米SiC粉和初期晶化进行了探讨。实验结果表明：通过控制反应物蒸气流量,可对反应温度进行控制,从而实现对粉体组成、结构进行控制。在其他条件不变时,当反应物蒸气流量为700～820 sccm时,可制得较为理想的平均粒径为10～15 nm的非晶SiC纳米粉；非晶SiC纳米粉在1160℃氩气氛下晶化处理,开始晶化,由非晶SiC经固相反应得到β-SiC。