利用CO2激光器的简化速率方程模型,对高功率横流连续CO2激光器特性参数进行了全面的分析和探讨,建立了光腔小信号增益系数、饱和光强参数、激光输出功率和激光耦合输出窗口最佳透射率计算公式,其计算值与实验结果吻合,为激光器的设计和运行提供了快捷、简便的计算依据。

通过求解电子能量分布各向同性稳态玻尔兹曼方程,获得放电泵浦F2分子激光器的等离子体的电子能量分布、各种反应速率系数,有助于了解F2分子激光形成机制。

利用可编程控制装置对光纤光栅的中心波长进行了线性调谐,在此基础上实现了可控波长行波环形腔激光器的运转,波长线性调谐范围可达5.9 nm。通过精确控制,波长选择的复现性可达5.13×10-3 nm,在检测仪器的精度范围内,波长调谐的线性度达R2=0.999,波长选择间隔为0.156 nm。

报道了国产掺Yb石英光纤激光器的成功运转。用波长为915 nm的钛宝石激光泵浦3.5 m长的光纤时,激光中心波长为1.03 μm,激光阈值可低至5 mW,斜效率可达68%。用860 nm泵浦能得到相似的结果。另外,当光纤短于0.5 m时能得到974 nm激光振荡。

给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性,并设计了相应结构的激光器件;然后由LPE技术获得这一器件。实践证明,理论和实验结果符合得很好。

报道了半导体激光泵浦的共掺Er3+,Yb3+磷酸盐玻璃激光器的连续运转,最大输出功率为10.2 mW,斜率效率为5.3%,激光光谱范围为1516～1547 nm,峰值波长为1533 nm。

介绍的扫描近场光学显微镜能够以探针作为亚微米光源或探测器以及受抑全反射等三种工作方式探测样品,在没有样品-探针间距控制的情况下对全息光栅、脂质体以及沸石粉末等进行了扫描成像,并获得了超衍射极限的光学分辨率,其中最优分辨率可达约100 nm。

用扩展边界条件法研究了亚波长表面正弦形介质光栅中的电磁场分布及其各级衍射效率。计算结果表明,在适当的参数条件下,表面正弦光栅具有全反射的特性,在一个较宽的带宽范围内实现了99.9%的高反射。

提出并设计了一种不同尺寸的方形单元组成的衍射光学阵列器件,其外形逼近于圆形,以产生平顶、陡边、小旁瓣的焦斑光强分布。对输入圆形光束有较大的填充因子,充分利用了光能。在设计上将二维简化为一维,且加工简单。基于爬山法和模拟退火法相结合的混合算法,设计了器件的位相分布。模拟计算结果表明了这种方法的有效性。

在λ=28.5 nm波长处,选择了一种新的多层膜材料对C/Al。与Mo/Si,C/Si软X射线多层膜相比,正入射C/Al多层膜在15.0 nm附近有很低的二级衍射峰。用磁控溅射法制备了C/Al软X射线多层膜样品,并用X射线小角衍射法对其结构进行了测试。

介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR plasma CVD)法淀积980 nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。

采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺,在Si(111)衬底上成功地制备了AlN晶态薄膜。X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明：薄膜具有(101)取向,平均晶粒大小为200 nm;薄膜介电性能优异,扩展电阻在108Ω以上。

进行了孤子通信的误码测量,成功地将2.5 Gbit/s的孤子传输了52 km,通过了2 h的测量无误码。对实验中的关键技术——超短光脉冲产生、高速外调制器、电信号和光信号的放大、光孤子脉冲序列与调制信号的同步以及正负色散位移光纤搭配技术进行了介绍和分析,对实验中的现象进行了理论分析。

从理论上分析了在模压三维全息图母版的记录光路中,为消除或减小像散和像场弯曲以及扩展照明光源产生的像模糊所应采取的参数设置。试验结果表明用此方法制作的模压三维全息图即使在漫射照明光下亦能呈现出清晰、明亮的图像。

给出了用莫阿(Moir)原理再现多灰阶二维图像技术的步骤：用半色调屏对二维图像进行第一次编码,得到半色调屏图像fA(u, v),然后分别对fA(u, v)图像和1-fA(u, v)反转图像用同空间频率为ξ0的基栅进行第二次编码,图像与反转图像之间基栅位相差为π,两次编码的方向夹角为45°。本技术可用于防伪。

对明胶全息图后处理过程中坚膜与溶胀环节进行了实验研究,结果表明,对于使用稀释的F－5定影液坚膜,可使全息图对应最大衍射效率所需的曝光量向低值方向移动;水显溶胀程度对全息图的衍射效率的影响至关重要。提出了根据溶胀极限温度来确定溶胀温度以获取最佳溶胀效果的方法。

研究了用电阻加热引上法生长的铌酸钾锂晶体中组分离子的分布及其对晶体折射率和倍频性能的影响。

利用SEM,TEM,EDAX,声发射及磨损试验等方法研究了激光熔覆Al2O3-NiCrAl复合陶瓷层的组织结构、脆性及其干滑动摩擦磨损特性。结果表明：Al2O3激光熔覆层由α-Al2O3柱状晶及柱晶间少量的Ni2Al18O29相组成, 熔覆层硬度达2351～2667Hv0.2,熔覆层的脆性与等离子喷涂层相比有所增大;其耐磨性能为等离子喷涂层的2倍左右,在滑动摩擦条件下熔覆层的磨损机制是脆性剥落和磨料磨损。

从准周期Fibonacci超晶格的结构特点和超短脉冲的传输特性出发,分析了超短脉冲在Fibonacci超晶格中传输时,自相位调制对脉冲频谱的调制,同时考虑了由SPM造成的频率啁啾对脉冲特性的影响,发现SPM对脉冲特性影响很大,它不但使脉冲频谱展宽,而且限制超晶格的总体长度及基本单元的结构。

利用FFT方法对环状耦合输出的90°束转非稳腔在小放大倍率(M=1.2)情况下的模场畸变进行了数值模拟,分析了镜面倾斜和像散对输出光束质量的影响程度,并与常规环形非稳腔进行了比较,结果表明,环状输出90°束转非稳腔比常规环形非稳腔具有更优良的特性。

从半导体材料的吸收机制出发,分析研究了激光能量在半导体材料中的传输过程,并采用双温模型分别模拟计算了在入射激光能量相同的情况下,皮秒和纳秒激光脉冲作用于硅半导体材料的加热过程,结果表明在纳秒脉冲作用下,可以忽略载流子效应,用单纯的单温热传导方程来模拟。而在皮秒脉冲作用下,应该考虑载流子效应,采用包括晶格温度和载流子温度的双温模型来模拟硅半导体材料的加热过程。