基于SiC宽禁带半导体材料及器件，实现了SiC宽禁带器件与超高真空器件的混合兼容设计与制备，研制了一种新型的SiC基真空‑固态混合光电探测器，光敏面有效直径25 mm，器件电子轰击增益近200倍，响应信号半高宽4.5 ns。为真空‑固态混合光电探测器件理论研究与工程应用的深入推进奠定了基础。

利用LB（Langmuir‑Blodgett）转移印刷技术成功制备了分辨率为12 700 ppi的高性能QLED（Quantum Dot Light‑emitting Devices，量子点发光二极管）。通过该方法制备的超高分辨率红色QLED器件的EQE为15.27%。此外还成功制备了EQE为4.9%的超高分辨率白色QLED器件。本工作为下一代高分辨率显示器的实现提供了一种思路。

介绍了一种利用飞秒激光技术制备的石墨烯异质结薄膜晶体管（GHTFT）。基于还原氧化石墨烯制备石墨烯的原理，该晶体管利用飞秒激光直接在硅基底上制备石墨烯，最终获得了3.05×10²的电流开关比。相较于以前报道的石墨烯晶体管，该值提升了10²。同时还研究了不同还原程度的氧化石墨烯对GHTFT电流开关比的影响，结果表明氧化石墨烯的还原程度越高，GHTFT的电流开关比越大，这说明飞秒激光能够有效调节GHTFT的电学性能。除此之外，鉴于当前石墨烯制备的困难，提出的方法能够有效避免转移过程和化学过程，同时飞秒激光的高效率提高了石墨烯晶体管的制备效率。

利用实验加仿真模拟的方法探究了纳米颗粒墨水中Cu含量（Cu/In+Ga，CGI）对铜铟镓硫硒（CIGSSe）太阳能电池性能的影响。首先，通过不同CGI墨水制备了CIGSSe太阳能电池器件，并对其吸收层进行了SEM，霍尔效应，以及拉曼光谱表征。表征结果表明：随着铜含量上升，吸收层晶体生长状况逐渐改善，且载流子浓度也逐步增大，但吸收层表面却存在越发明显的Cu_2-xSe杂相。实验得出当吸收层的CGI为1.03时，器件的能量转换效率（PCE）最高，达10.09%。随后建立了对应的器件仿真模型，获得了具有不同CGI的CIGSSe器件的能量转换效率、器件能带与复合率分布情况，模拟结果表明：随着铜含量提高，载流子浓度上升，器件的开路电压有所提升，但当载流子浓度超过10¹⁸ cm^-3时，吸收层表面出现了陡峭的能带弯曲现象，这增大了隧穿界面复合的发生，从而影响了器件的能量转换效率。因此，由实验与仿真模拟表明：制备CIGSSe薄膜太阳能电池时，有必要对Cu含量进行调控，从而达到促进晶体生长，减少界面复合，提升器件能量转换效率的目的。

利用n型有机半导体材料N2200掺杂在p型有机半导体材料PDVT‑10中形成捕获中心而能够表现出突触行为的特性，结合银金属作为源电极与有机半导体PDVT‑10接触形成的金属‑半导体结来引入肖特基势垒，从而使其限制有机突触器件的源漏电流，最终降低器件工作能耗。此外，器件表现出生物突触行为时的工作电流均在10^-10 A量级，如兴奋性突触后电流等基础的突触行为。研究方案为构建类脑水平的神经形态计算网络提供了一种简单高效的策略。

基于移动产业处理器接口（Mobile Industry Processor Interface，MIPI）协议提出了一种应用于显示驱动芯片数据接口的物理层电路。针对数据传输对速度要求越来越高的情况以及失调电压会使输出信号的占空比偏离50%，进而影响高速采样准确率的问题，采用多级放大器形式实现了高速通道设计，并利用可编程电流源进行失调电压的自适应校准，减小了失调电压在传输中带来的误差。电路使用SMIC 110 nm CMOS工艺进行设计。仿真结果表明，自适应校准可以使-30 mV~35 mV的输入失调电压降低到-1 mV~1.2 mV，单通道传输速率达到1.5 Gbps，实现了高速、高精度的数据传输效果。

量子点纯化工艺对铯铅溴（CsPbBr₃）钙钛矿量子点（PQDs）光学和电学性能影响极其重要。提出一种简单可行的复合配体钝化策略，用来修饰PQDs表面缺陷。溴化胍（GuaBr）和二癸基二甲基溴化铵（DDeAB）在纯化过程中被引入共同修饰钙钛矿量子点。这种配体钝化策略能够有效地抑制空位缺陷，并提高胶体稳定性和电学性能。最终，基于复合配体改性的量子点，绿色的PeLED器件具有低的性能滚降和15 786 cd/m²的最大亮度。

概述了电容触摸屏在机载加固显示中的应用研究进展。相比于采用导光面板、红外触摸屏和电阻触摸屏交互的机载加固显示模块，采用电容触摸屏交互的机载加固显示模块，在保证触摸精度高和稳定性的同时，交互自由度得到极大提高，还可以支持真正的多点触摸，实现划线、缩放等手势交互。文中重点介绍了G+G和G+F电容触摸屏在机载加固显示中的应用现状，以及OGS、On‑cell和In‑cell电容触摸屏在机载加固显示中的应用前景。当电容触摸屏在机载加固显示中形成规模化的应用后，将会对军用战机的作战性能形成强有力的提升。

采用宽带隙有机材料PTB7‑Th： PC₇₁BM作为前电池，窄带隙有机材料PTB7‑Th： IEICO‑4F作为后电池，MoO₃/Au/ZnO薄膜作为中间连接层制备叠层电池。在本研究中，利用真空热蒸发和磁控溅射镀膜的方法制备了MoO₃/Au/ZnO薄膜，不仅具有高透光率，而且有很好的抗溶剂侵蚀性能。此外，为了进一步降低在旋涂后电池活性层时溶液对前电池的侵蚀，采用低沸点的氯仿作为后电池活性层材料的溶剂，并利用动态旋涂成膜的方法，减少溶剂挥发时间。最后获得了效率为9.35%的有机叠层太阳能电池，与单结有机太阳能电池相比，拥有更高的效率，开路电压高达1.4 V。研究表明：MoO₃/Au/ZnO薄膜在制备叠层太阳能电池中具有很大的优势。

为了校正近眼显示中的畸变图像，提出了一种基于非线性拟合和向前映射插值的图像预畸变算法。采用了径向基函数拟合算法，以得到更高精度的拟合原图像和预畸变图像之间的映射关系；采用了基于向前映射的紧支撑径向基函数插值算法进行图像灰度重建，以得到更好的图像畸变校正效果。实验结果表明，径向基函数拟合算法的拟合误差可以降到1像素以内，校正精度达到亚像素级；预畸变算法对近眼光学系统产生畸变具有良好的校正效果，显示图像清晰完整。

对比总结了基于拉曼散射、布里渊散射与瑞利散射的三种主要DOFS技术的原理及特点，介绍了DOFS系统在输电线路舞动及雷击监测领域的国内外研究及应用现状；对基于分布式光纤传感的架空输电线路舞动、雷击监测技术目前存在的不足进行了分析；指出分布式放大、光脉冲编码、多参量融合以及通感一体等关键技术将是该领域下一阶段的发展趋势与研究热点。

对于宽入射角工作的衍射光学元件，提出了高带宽积分平均衍射效率的优化设计方法。通过复合带宽积分平均衍射效率的最大化设计，得到设计波长和设计入射角度，进一步可以计算得到微结构高度。分析了衍射效率对折衍射混合光学系统调制传递函数的影响。优化设计了一套含有衍射光学元件的折衍射混合目镜系统。目镜由三片透镜组成。考虑衍射光学元件的衍射效率，最大视场处目镜系统的调制传递函数高于0.42。该方法为混合光学系统的像质评价提供了依据。

调查和研究了现有IGZO薄膜制备工艺，改善了成膜均一性及稳定性，进一步稳定了阈值电压，提升了器件稳定性。首先，通过调整IGZO成膜设备掩膜版的位置，改善基板边缘IGZO膜厚偏薄的状况，提升整面基板阈值电压的均一性；然后，通过分析磁控溅射成膜中磁铁摆动角度的调整对IGZO成膜均一性的影响，确定最优的成膜方式，有效改善阈值电压分布。最后，针对不同氧分压成膜条件，结合残余气体分析，进一步分析研究成膜过程中气体组分，尤其氧气对阈值电压稳定性的影响。研究发现，改善基板边缘及整面IGZO膜厚的均一性，可有效提升TFT器件阈值电压的均一性；控制IGZO成膜过程中氧分压波动，可提高阈值电压的稳定性。

通过对液晶盒点灯治具进行改造增加逻辑运算小盒及光学探头，实现液晶盒透过率测试，将偏光片贴附白玻璃、偏光片载台开槽以及实测液晶盒驱动电压并将程序设定，匹配测试液晶盒与模组产品的透过率。通过实验得出优化改造后的点灯治具测试液晶盒透过率与模组透过率波动趋势一致，可以满足液晶盒透过率筛选的需求，将透过率波动较大的产品前置拦截，有效规避后端模组资材的浪费。