谭华 倪朕伊 皮孝东 杨德仁

浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室

摘要  硅量子点的尺寸一般小于~10 nm。由于量子限域和表面等效应而表现出与体硅材料不同的电子和光学性质,受到了研究者们的关注。近些年来,硅量子点新颖的光电性能已经被应用到光电器件领域,并取得了一系列的研究进展。本文概述了硅量子点的电子和光学性质,详细介绍了国内外有关硅量子点在发光器件、太阳电池和光探测器三个方面的研究进展,并针对不同类型的硅量子点光电器件的性能进行了分析。认为经过坚持不懈的研究,硅量子点能够在未来光电器件革新中扮演重要角色。
(本文发表在《激光与光电子学进展》2017年第3期,
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引用该论文

Tan Hua,Ni Zhenyi,Pi Xiaodong,Yang Deren. Research Progress in Application of Silicon Quantum Dots in Optoelectronic Devices[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2017, 54(3): 030006

谭 华,倪朕伊,皮孝东,杨德仁. 硅量子点在光电器件中的应用研究进展[J]. 激光与光电子学进展, 2017, 54(3): 030006