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基于能耗预算的相变存储器写入方法取得创新性进展
基于能耗预算的相变存储器写入方法取得创新性进展 2017-02-20

基于能耗预算的相变存储器写入方法取得创新性进展相变存储器(PhaseChangeMemory,PCM)是一种由硫族化合物材料构成的新型非易失存储器,其具以下显著的优点:非易失性、位可修改、读延迟短、读能耗低、无需刷新等。PCM对比DRAM而言能耗更低,同时...