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刘伟平书记带队对半导体所领导班子进行换届考核
2月24日,中科院党组副书记、副院长刘伟平带队对半导体所领导班子进行换届考核。考核大会结束后,刘伟平与半导体所院士、党政正职进行了谈话,并视察了半导体材料科学重点实验室和光电子器件国家工程研究中心。考核组由人事局局长李和风,北京分院分党组常务副书记、副院长马扬等一行15人组成。半导体所领导班子成员、院士...
2017-03-15
半导体所研制出锑化物带间级联激光器
锑化物带间级联激光器是基于量子效应和能带工程的新型半导体激光器,由杨瑞青教授首次提出,是通过导带和价带之间跃迁实现电子和空穴的辐射复合,每个有源区通过类似量子级联结构串联方式连接。它结合了传统半导体带间跃迁激光器和基于子带间跃迁的量子级联激光器的优势,如载流子注入均匀,量子效率高、波长易调节、阈值电...
2017-03-15
半导体所发表关于二维材料层数相关的光学性质及其在厚度确定方面的综述论文
二维材料的平面内化学键非常强,而两层以上二维材料的层间相互作用则非常弱,一般为范德瓦尔斯相互作用。这使得二维材料可以通过机械剥离方法从其相应体材料制备而成。多层二维材料可能有多种层间堆垛方式,例如石墨烯存在AB,ABC甚至转角的堆垛方式。二维材料按照晶格结果或堆垛方式又可以划分为各向同性(以石墨烯,TMDs,...
2017-01-11
中科院半导体所研制出GaN基紫外激光器
2016年12月14日,中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员的团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。GaN基紫外激光器技术难度很大,目前国际上仅有日本的日亚公司...
2016-12-22
半导体所在高质量InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列外延生长研究方面取得重要进展
准一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性,在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等重要领域展现出广阔的应用前景。尤其是,基于半导体纳米线的晶体管具有尺寸小、理论截止频率高等优点,为未来在微处理器芯片上实现超大规模集成电路开拓了新的方向。在III-V族半导体材料中,InAs具有小的电子有效质量...
2016-12-22
中国科学院半导体研究所推出600W 激光清洗机
激光清洗是一种高效、绿色清洗技术,相对于化学清洗,其不需任何化学药剂和清洗液;相对于机械清洗,其无研磨、无应力、无耗材,对基体损伤极小(文物字画清洗);激光可利用光纤传输引导,清洗不易达到的部位,适用范围广(核管道清洗)。适用对象也比较广泛,除锈、除漆、除泥污、晶片表面处理;清洁度高(能清除纳米级以
2016-12-09