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俄学者发现空气对纳米电子半导体有致命影响

发布:opticsOJ阅读:263时间:2017-11-20 23:52:30

俄罗斯托木斯克理工大学发布消息称,该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性,该重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品。研究结果发表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)杂志上。

现代材料学中,二维材料(即只有一个或几个原子层厚的薄膜材料)的研究是一个具有前景的领域,它具有优异的导电性,强度高,可以成为超小尺寸(纳米电子产品)现代电子产品的主要器件。光电产品需要使用能够在光照射时产生大电子流的新材料,有效解决该问题的二维半导体之一就是硒化镓。

现代材料学中,二维材料(即只有一个或几个原子层厚的薄膜材料)的研究是一个具有前景的领域,它具有优异的导电性,强度高,可以成为超小尺寸(纳米电子产品)现代电子产品的主要器件。光电产品需要使用能够在光照射时产生大电子流的新材料,有效解决该问题的二维半导体之一就是硒化镓。

来源:中国国际科技合作网

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