科技动态

复旦大学成功研制成功首个全硅激光器

发布:Photonicseditor阅读:2493时间:2018-1-17 12:17:25

复旦大学光科学与工程系吴翔教授、陆明教授和光源与照明工程系张树宇副教授合作团队,基于所研发的高增益硅纳米晶薄膜,成功研制出世界上首个全硅激光器。这一成果近期在Science Bulletin以快报形式报道。

集成硅光电子结合了当今两大支柱产业—微电子产业和光电子产业—的精华,预期将在通信、传感、照明、显示、成像、检测等众多领域带来新的技术革命。

(a) DFB全硅激光器的光泵浦和发光示意图;插图:DFB激光器件的实物照片。(b)样品的PL谱随泵浦功率的变化;背景:DFB结构的横截面SEM图像。

硅激光器是实现集成硅光电子的关键。由于硅的间接带隙结构特性,目前,硅的光增益较之通常的III-V族激光材料,仍有1-2个数量级的差距。为避开这个瓶颈,国际上将成熟的III-V族激光器制备在硅基片上,成为一种混合的硅基激光器。而以硅自身作为增益介质的全硅激光器可以更好地匹配现有硅工艺,大幅提升器件的可靠性,其研制既是科学技术上的挑战,也是集成硅光电子所必需。

为了大幅增强硅的光增益,复旦大学吴翔教授、陆明教授和张树宇副教授合作团队,首先借鉴并发展了一种高密度硅纳米晶薄膜生长技术,由此显著提高了硅发光层的发光强度;之后,为克服通常氢钝化方法无法充分饱和悬挂键缺陷这一问题,他们发展了一种新型的高压低温氢钝化方法,使得硅发光层的光增益一举达到通常III-V族激光材料(如GaAs、InP等)的水平;在此基础上,他们设计和制备了相应的分布反馈式(DFB)谐振腔,最终成功获得光泵浦DFB型全硅激光器。光泵浦全硅激光器的研制成功,也为下一步研制电泵浦全硅激光器提供了参考依据。

实验发现,随着高压低温氢钝化的进行,硅发光层的光增益持续增强,最终达到GaAs、InP的水平。实验中还观察到了满足激光产生条件的所有判据:阈值效应、谱线大幅收窄、偏振效应以及定向发射。激射峰值为770nm波长。之后他们又重复制备了四个相同结构的激光器。由于各发光层的有效折射率略有差异,所得到的四个激射峰值波长分布在760-770nm范围,半峰宽(FWHM)由激射前的约120nm缩小到激射后的7nm。该项目由国家自然科学基金(No. 51472051, 61275178, 61378080, 61705042)和上海市扬帆计划(16YF1400700)等提供支持。

附:Science Bulletin的报道

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2095927318300069

来源:光纤在线

> 免责声明
网站内容来源于互联网、原创,由网络编辑负责审查,目的在于传递信息,提供专业服务,不代表本网站及新媒体平台赞同其观点和对其真实性负责。如对文、图等版权问题存在异议的,请于20个工作日内与我们取得联系,我们将协调给予处理(按照法规支付稿费或删除),联系方式:021-69918579。网站及新媒体平台将加强监控与审核,一旦发现违反规定的内容,按国家法规处理,处理时间不超过24小时。 最终解释权归《中国激光》杂志社所有。

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!