诸如法拉第和克尔效应之类的磁光现象在控制通过介质传播光场的偏振和强度方面起着重要作用。其中光发射方向取决于外部磁场取向的强度效应尤其令研究人员感兴趣，因为它们可以用于规定光的路径。到目前为止，已知的用于实现这种规定路径的效应都是沿着平行于磁场的轴向方向控制光的发射。近期，来自德国多特蒙德工业大学的I. A. Akimov及其同事报导了一种新的发射现象，对于位于近表面的光源，建立了垂直于外部施加磁场的方向性。该团队将这种效应称之为光发射的横向磁场路径选择，为了证明该效应，研究人员展示了展示了稀磁半导体量子阱中激子的发射路径选择。在混合等离子体半导体结构中，研究人员观察到方向性显著增强高达60％。

图a 傅立叶成像装置结构

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