硅被广泛用作半导体和绝缘体材料，在纳米电子学、微电子机械系统、太阳能电池和芯片光子学中应用最为广泛。与此形成鲜明对比的是，来自阿尔伯塔大学的研究人员探索了硅的金属特性，并表明它能够在极端紫外（EUV）能量范围内支持传播表面等离子激元、集体电荷振荡，而这在铝、银或金等其它等离子激元材料中是不可能的。这与传统方法根本不同，在传统方法中，掺杂半导体被认为是观察等离子体电子行为所必需的。利用动量分辨电子能量损失谱，该项工作实验性地绘制了硅中EUV表面和体等离子体的光子能带结构。通过宏观电动力学电子能量损失理论模拟和量子密度泛函理论计算，验证了其实验观测。基于此类EUV等离子体用于应用的实例，提出了使用硅等离子体超材料的EUV中的可调谐和宽带无阈值Cherenkov辐射源。这项工作为EUV等离子体技术的发展铺平了道路。

kk-EELS技术测量具有动量分辨光子带结构的硅的关键部件

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