科技动态

基于4H碳化硅的超高Q光子晶体纳米飞行器

发布:guangxuedaren阅读:1114时间:2019-8-5 20:37:18

高质量(Q)因子的光子纳米飞行器是集成光学电路的重要组成部分。利用碳化硅(SiC)作为纳米航空材料,可以实现性能优越的器件。近日,来自日本京都大学的研究人员们在不使用氢离子注入的情况下,在4H-SiC平板上刻蚀气孔,制备了超高Q值的 SiC光子晶体纳米材料。通常这种材料会造成较大的吸收损失,与通常的设计相比,这种设计采用了相对较薄的平板结构,以避免锥形气孔引起的交叉偏振模耦合损耗。研究人员们实验得到了一个异质结构纳米谐振腔,这个纳米谐振腔具Q因子高达6.3×10^5,比之前报道的基于SiC的纳米谐振腔的最高Q值大16倍。实验表明,这种新型的纳米腔显示出一个高度归一化的二次谐波转换效率为1900%/W。

图:腔体的制造工艺和结构。(a)制作工艺示意图;(b)腔结构; (c)预制结构的SEM图像;(d) SEM图像的放大; (e)气孔的横截面图。

原文链接

本文受译者委托,享有该文的专有出版权,其他出版单位或网站如需转载,请与本站联系,联系email:mail#opticsjournal.net。(为防止垃圾邮件,请将#换为@)否则,本站将保留进一步采取法律手段的权利。

> 免责声明
网站内容来源于互联网、原创,由网络编辑负责审查,目的在于传递信息,提供专业服务,不代表本网站及新媒体平台赞同其观点和对其真实性负责。如对文、图等版权问题存在异议的,请于20个工作日内与我们取得联系,我们将协调给予处理(按照法规支付稿费或删除),联系方式:021-69918579。网站及新媒体平台将加强监控与审核,一旦发现违反规定的内容,按国家法规处理,处理时间不超过24小时。 最终解释权归《中国激光》杂志社所有。

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!