行业动态

Plessey开发出世界上首个硅基InGaN红光LED

发布:laserpulse阅读:784时间:2019-12-12 22:06:38

旨在增强现实和显示市场的microLED技术嵌入式技术开发商Plessey已经开发出了所谓的“世界上第一个基于硅的红光 LED GaN(氮化镓)”。基于InGaN的蓝色和绿色LED已在市场上销售了一段时间,但是红色LED通常是基于AlInGaP材料或颜色转换的红色。对于AR应用,Plessey评论说,由于AlInGaP材料的严重边缘效应和颜色转换过程造成的模腔损失,实现高效的超细间距红色像素(跨度小于5 µm)仍然难以实现。

与现有的基于AlInGaP的红色相比,基于InGaN的红色具有更低的制造成本,可扩展至更大的200 mm或300 mm晶圆的可扩展性以及更好的热/冷系数,因此具有吸引力。但是,由于铟含量高,在InGaN材料中实现红色光谱发射具有挑战性,会在有源区中引起明显的应变,从而降低了晶体质量并产生了许多缺陷。

很好的红色:Plessey的GaN硅基红色LED。

应变工程活动区域

Plessey表示,它已通过使用专有的应变工程有源区来创建高效的InGaN Red LED,成功克服了这些挑战。新型InGaN Red microLED在10 A / cm2时的输出波长为630 nm,半峰全宽为50 nm,热冷系数超过90%,与传统的AlInGaP相比具有更高的效率,并且以超精细像素间距实现了颜色转换的红光。有了这些结果,Plessey表示,它现在能够制造天然的蓝色、绿色和红色InGaN材料,或者使用其硅基GaN平台将波长调谐在400nm至650nm之间。

Plessey的外延和高级产品开发总监Wei Sin Tan博士评论说:“这是一个令人振奋的结果,因为它为低成本制造超细间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径,这将加速microLED在AR微显示器和移动/大型显示器中的应用。”Plessey最近取得的其他成就包括,世界上第一个晶圆级键合单片3,000 ppi硅上氮化镓microLED发光显示器与有源矩阵CMOS背板混合在一起;以及同一晶片上的原生蓝色和绿色发射层。该公司将继续开发microLED显示器解决方案,包括计划在2020年生产全RGB microLED显示器。Plessey将在2020年国际消费电子展(CES 2020)上参展。与紧凑型高分辨率微显示技术的开发商Compound Photonics携手,为AR / MR应用开发全球最小的基于1080p microLED的近眼显示解决方案。

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