硒化铟（InSe）具有高电子迁移率和可调节的直接带隙，使其有可能应用于电子和光电设备。近日，湖南大学的秦志辉，中科院物理研究所Lihong Bao等报道了使用铁电聚（偏二氟乙烯-三氟乙烯）（P（VDF-TrFE））共聚物膜作为顶栅电介质，制造了具有高开/关比和超高光响应性的InSe光电探测器。通过调节铁电P（VDF-TrFE）共聚物膜中的三种不同的偏振态，InSe光电探测器中的暗电流被成功抑制至?10-14A。

同时，作者使用六方氮化硼（h-BN）作为基底，以改善绝缘基底与InSe沟道之间的界面。结果，获得服软铁电共聚物门控的InSe光电探测器不仅显示出超过108的高开/关比，而且即使在极化状态没有栅极电压的情况下，也能显示高达14250 AW-1的高光响应性和高达1.63×1013 Jones的检测率。此外，测得的光电流的上升时间（tr）和下降时间（tf）分别为600μs和1.2 ms。

       该工作报道的结果体现了铁电P（VDF-TrFE）在调节InSe载流子传输中的作用，并可能为基于InSe的光电探测器的开发提供一条途径。

       Li Liu, et al. Ferroelectric-Gated InSe Photodetectors with High On/Off Ratios and Photoresponsivity. Nano Lett., 2020 DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c02448

       https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.0c02448

消息来源：知光谷