作者单位
摘要
1 广东先导院科技有限公司,广东 广州 510535
2 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司,江苏 苏州 215124
976 nm高功率半导体激光芯片是光纤激光器的核心部件,具有极为重要的产业价值。报道了课题组在高效率高功率半导体激光芯片的设计、制作与测试方面的研究成果。为了最大限度地提高器件的功率转换效率,同时满足苛刻的寿命要求,在设计上采用双非对称大光腔波导结构,同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了优化;在外延生长方面,系统地优化了生长工艺参数,确保了外延材料具有极高的内量子效率及低内损耗。大量测试表明:所制作的器件(腔长为5 mm、发光条宽为200 μm的芯片)在室温、连续波(CW)测试条件下,阈值电流约为1 A,斜率效率为1.14 W/A;当电流为9 A时,最高功率转换效率高达72.4%;当电流为30 A时,输出功率达到29.4 W,功率转换效率为61.3%;对应于95%光场能量的水平远场发散角低至8.7°。上述参数性能已经达到了国际同类产品的先进水平。
激光器 半导体激光芯片 高功率转换效率 高功率 低水平远场发散角 976 nm 
中国激光
2024, 51(7): 0701017
作者单位
摘要
度亘激光技术(苏州)有限公司,江苏 苏州 215000
报道了应用于掺铒光纤放大器(EDFA)的高功率单模980 nm半导体激光芯片和泵浦模块。所研制的单基横模980 nm激光芯片的kink-free输出功率可达1650 mW,最高热反转功率可达2.4 W。利用此芯片研制了14 pin蝶形封装模块,采用光纤光栅进行波长锁定,实现了单模输出功率超过1300 mW以及从阈值到1300 mW的大动态范围的波长锁定,边模抑制比(SMSR)大于30 dB,峰值波长为974.5 nm±0.5 nm,光谱半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm,带内功率占比(PIB)大于95%。
激光器 单模 光纤光栅 泵浦 
中国激光
2023, 50(2): 0215001

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