曹晶 1,2杨文河 1,2刘泽旭 1,2陈韫懿 1,2[ ... ]林楠 1,2,*
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,上海 201800
2 超强激光科学与技术重点实验室(中国科学院),上海 201800
极紫外(EUV)光刻是7 nm及以下技术节点芯片大规模量产的关键技术。随着技术节点的减小、工艺复杂性的增加,芯片的良率面临着巨大挑战。边缘放置误差(EPE)是量化多重曝光技术过程中制造图案保真度的最重要指标。EPE控制已成为多重曝光和EUV融合光刻时代最大的挑战之一。EPE是关键尺寸(CD)误差和套刻误差的结合。在EUV光刻中,光学邻近效应和随机效应是引起光刻误差的重要因素。光学邻近效应校正(OPC)可以使EPE最小化。对于最先进的技术节点,EPE通常由随机效应主导,因此需要对EPE进行建模,尤其是需要对随机效应进行严格的建模,以分析影响EPE的关键参数。选择不同的测量手段对关键参数进行测量并优化EPE是提高芯片良率的重要途径。本文首先综述了EPE在EUV光刻中的重要作用,然后讨论了OPC和随机效应、EPE模型及涉及的关键参数,并介绍了关键参数的测量方法,最后总结和展望了与EPE相关的技术。
测量 极紫外光刻光源 套刻 光学邻近效应校正 对准 
中国激光
2024, 51(7): 0701005
作者单位
摘要
1 清华大学材料学院,北京 100084
2 巴黎萨克雷大学奥赛高分子化学与材料研究所,法国巴黎 91405
通过高频(100~500 kHz)飞秒激光直写可在组成是Li2O-Nb2O5-SiO2的玻璃内部同时控制纳米非线性光学晶体和周期结构取向。该周期结构为发生纳米尺度相分离的晶态和非晶态交替结构,并可通过激光偏振方向来控制朝向。随着激光注入能量的增加出现了3个改性区间:低能量下改性非晶态,对氢氟酸(HF)的刻蚀速度高于玻璃基底;中能量下纳米晶体极轴趋向和激光偏振方向垂直,随着激光频率的提高,获得此区间的脉冲能量窗口急剧减小;高能量下微米晶粒,并且晶体的产生受写入模式影响(写入方向和激光偏振方向的夹角)。该研究发现有利于理解超快激光-物质相互作用和制备三维光器件。
激光技术 纳米周期结构 铌酸锂 超快激光 晶体 
激光与光电子学进展
2022, 59(15): 1516001

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