潘世烈 *†张方方 1†
作者单位
摘要
中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心新疆功能晶体材料重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011
深紫外非线性光学晶体通过非线性光学效应改变激光频率,输出波长短于200 nm的深紫外激光,是全固态深紫外激光源的核心材料,在深紫外激光光刻、半导体芯片缺陷检测、高端科研装备等领域有重要的应用价值。近年来,新型深紫外非线性光学晶体材料的研究取得了系列进展,涌现出若干具有应用前景的候选材料。本文着重介绍基于实验测得的折射率,相位匹配波长达到深紫外区的晶体材料,综述其在材料设计、晶体制备、基本性能和结构-性能关系等方面的研究进展,探讨了实用化深紫外非线性光学晶体材料的发展趋势。
深紫外非线性光学晶体 材料设计 晶体制备 结构-性能关系 deep ultraviolet nonlinear optical crystal material design crystal preparation structure-property relationship 
激光与光电子学进展
2024, 61(1): 0116003
作者单位
摘要
1 伊犁师范大学, 伊犁 835000
2 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011
采用高温熔融-自发结晶法成功获得一种新型混合金属硫化物Ba7AgGa5S15。该化合物结晶于非中心对称的P31c空间群(No.159), 晶胞参数为a=0.964 53(10) nm, c=1.805 9(4) nm, Z=2。其结构是由[Ga4S10]T2超四面体与[AgS4]四面体共顶点连结形成的含有18元环孔道的三维网状框架, 孤立的[Ga(2)S4]四面体填充在孔道中, Ba2+填充在该三维框架结构的空隙当中。第一性原理计算研究了该化合物的电子结构、态密度、双折射率、二阶非线性光学系数, 以及倍频密度。结果表明, 该化合物具有大的光学带隙(3.76 eV), 其带隙主要由S 3p, Ba 5d和Ga 4s轨道决定; 其d33方向上的倍频系数约为AgGaS2的0.4倍, 主要倍频贡献来源于[AgS4]和[GaS4]四面体。该研究表明在Ag-Ga-S体系中引入Ba2+, 形成的Ba7AgGa5S15表现出比AgGaS2更宽的带隙, 有利于产生高的激光损伤阈值(LDT)。
硫属化合物 非线性光学材料 晶体结构 带隙 第一性原理 chalcogenide nonlinear optical material crystal structure band gap first-principle Ba7AgGa5S15 Ba7AgGa5S15 
人工晶体学报
2020, 49(8): 1509

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