作者单位
摘要
1 广东先导院科技有限公司,广东 广州 510535
2 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司,江苏 苏州 215124
976 nm高功率半导体激光芯片是光纤激光器的核心部件,具有极为重要的产业价值。报道了课题组在高效率高功率半导体激光芯片的设计、制作与测试方面的研究成果。为了最大限度地提高器件的功率转换效率,同时满足苛刻的寿命要求,在设计上采用双非对称大光腔波导结构,同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了优化;在外延生长方面,系统地优化了生长工艺参数,确保了外延材料具有极高的内量子效率及低内损耗。大量测试表明:所制作的器件(腔长为5 mm、发光条宽为200 μm的芯片)在室温、连续波(CW)测试条件下,阈值电流约为1 A,斜率效率为1.14 W/A;当电流为9 A时,最高功率转换效率高达72.4%;当电流为30 A时,输出功率达到29.4 W,功率转换效率为61.3%;对应于95%光场能量的水平远场发散角低至8.7°。上述参数性能已经达到了国际同类产品的先进水平。
激光器 半导体激光芯片 高功率转换效率 高功率 低水平远场发散角 976 nm 
中国激光
2024, 51(7): 0701017
作者单位
摘要
度亘激光技术(苏州)有限公司,江苏 苏州 215000
报道了应用于掺铒光纤放大器(EDFA)的高功率单模980 nm半导体激光芯片和泵浦模块。所研制的单基横模980 nm激光芯片的kink-free输出功率可达1650 mW,最高热反转功率可达2.4 W。利用此芯片研制了14 pin蝶形封装模块,采用光纤光栅进行波长锁定,实现了单模输出功率超过1300 mW以及从阈值到1300 mW的大动态范围的波长锁定,边模抑制比(SMSR)大于30 dB,峰值波长为974.5 nm±0.5 nm,光谱半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm,带内功率占比(PIB)大于95%。
激光器 单模 光纤光栅 泵浦 
中国激光
2023, 50(2): 0215001
作者单位
摘要
1 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
2 中国科学院大学, 北京 100049
报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒) 量子阱为有源区的[1.31 μm]TM偏振高速激光器。以1% 张应变的 In0.49Ga0.51As0.79P0.21作为阱层,0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层,计算了由不同势垒带隙(1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 eV)构成的五种多量子阱的发光特性,和由其构成的激光器的器件特性。数值模拟分析表明,采用适度小的势垒带隙,既能将载流子有效限制在有源区,又可以得到载流子在量子阱间的均匀分布,从而改善量子阱的发光特性和激光器的性能参数。该仿真对研制低阈值电流、高特征温度和大调制带宽的InGaAsP/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器具有指导意义。
激光器 TM偏振 数值模拟 
激光与光电子学进展
2014, 51(2): 021401
朱亚旗 1,2,*陈治明 1陆书龙 2季莲 2[ ... ]谭明 1,2
作者单位
摘要
1 西安理工大学 自动化与信息工程学院, 陕西 西安 710054
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件重点实验室, 江苏 苏州 215125
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3 μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变, 利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力, 在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x“虚拟”衬底, 通过对缓冲层厚度的优化, 使应力能够在“虚拟”衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明, 这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量.
应力释放 In0.68Ga0.32As In0.68Ga0.32As strain relaxation InAsxP1-x InAsxP1-x 
红外与毫米波学报
2013, 32(2): 118
谭明 1,2,*季莲 2赵勇明 2朱亚旗 1,2[ ... ]陆书龙 2
作者单位
摘要
1 西安理工大学自动化与信息工程学院, 陕西 西安 710054
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215125
用在InP衬底上失配生长的能隙为0.6 eV的In0.68Ga0.32As制成了热光伏(TPV)电池。对其光伏特性的测试分析表明,通过对As组分渐变的InAsxP1-x缓冲层厚度的优化,可以将晶格失配引起的位错完全弛豫在缓冲层内,从而大幅改善热光伏电池的性能。在AM1.5G标准光谱下,与晶格失配没有被完全弛豫的热光伏电池相比,优化措施可将开路电压从0.19 V提高到0.21 V,外量子效率在长波处可达到85%,转换效率也提高了30%。
材料 热光伏电池 开路电压 InAsxP1-x缓冲层 外量子效率 
激光与光电子学进展
2012, 49(9): 091603

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