黄丽香 1†韩冰 1†闫龙 1赵项杰 1[ ... ]潘安练 1,**
作者单位
摘要
1 湖南大学材料科学与工程学院,湖南光电集成创新研究院,湖南 长沙 410082
2 诺视科技(苏州)有限公司,江苏 苏州 215011
基于发光二极管的显示技术在电视、电脑、手机等终端产品上获得了广泛应用。与传统液晶显示器和有机发光二极管屏幕相比,微型发光二极管(Micro-LED)显示器件在尺寸、性能、功耗、使用寿命等方面均具有显著优势。总结了Micro-LED全彩色显示的技术类别和产品应用场景,综述了实现Micro-LED全彩色显示的最新研究进展,包括巨量转移技术、色转换层集成技术和外延芯片单片集成技术,并进一步比较分析这些技术的优缺点,展望了Micro-LED全彩色显示技术的未来发展。
发光二极管 显示技术 单片集成 巨量转移 氮化镓 light-emitting diode display technique monolithic integration massive transfer gallium nitride 
激光与光电子学进展
2024, 61(1): 0125001
作者单位
摘要
集成光电子学国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012
Ag 纳米粒子的形貌对InGaN/GaN 多量子阱(MQWs)的光致发光(PL)效率有着显著影响。本文采用离子束沉积(IBD)技术将Ag沉积在InGaN/GaN MQWs上, 然后通过快速热退火处理制备Ag纳米粒子。通过改变Ag的沉积时间获得了具有不同Ag纳米粒子形貌的样品。用原子力显微镜对各样品的Ag纳米粒子形貌和尺寸进行了表征, 并且测试了吸收谱、室温和变温PL谱及时间分辨光致发光(TRPL)谱。结果表明: 随着Ag沉积时间的延长, 所得Ag纳米粒子粒径增大, 粒子纵横比先增大后减小且吸收谱峰红移。由于不同形貌的Ag纳米粒子在入射光作用下产生的局域表面等离激元(LSPs)与MQWs中激子耦合强度不同, 光发射能力也不同, 与没有Ag纳米粒子的样品相比, 沉积时间为15 s的样品室温PL积分强度被抑制6.74倍, 沉积时间为25 s和35 s的样品室温PL积分强度分别增强1.55和1.72倍且峰位发生红移, 沉积时间为45 s的样品室温PL积分强度基本没有变化。TRPL与变温PL的测试结果证明, 室温PL积分强度的改变是由于LSPs与MQWs中的激子耦合作用引起的。纵横比大且吸收谱与MQWs的PL谱交叠大的Ag纳米粒子能够更好地增强InGaN/GaN MQWs的发光。
离子束沉积 Ag纳米粒子 局域表面等离激元 InGaN/GaN多量子阱 光致发光 ion beam deposition Ag nanoparticles localized surface plasmons InGaN/GaN MQWs photoluminescence 
发光学报
2017, 38(3): 324
作者单位
摘要
山东工商学院信息与电子工程学院,山东 烟台 264005
随着虚拟现实与仿真技术的发展,头盔瞄准技术越来越多地应用于战斗机和直升机地面飞行模拟训练和实际作战。通过对单目视觉测量方法和四点定位模型的分析,论述了图像式头盔瞄准具的系统结构及工作机理,着重讨论了定位模型方程解的结构以及错误解的排除等关键问题。设计了头盔瞄准仿真平台,使用VC开发环境与OpenGL相结合导入3dmax模型,设置投影模型参数与相机标定参数一致,仿真相机成像过程,完成了系统组成结构和工作过程的仿真与模拟。仿真实验证明该模型能够完成目标的精确定位,可供从事头盔瞄准具设计和系统综合的工程师参考。
头盔瞄准具 视觉测量 定位模型 仿真 Helmet Mounted Sight(HMS) vision measurement positioning model simulation 
电光与控制
2010, 17(9): 69

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