作者单位
摘要
1 中南大学 物理科学与技术学院, 湖南 长沙 410083
2 中南大学 材料科学与工程学院, 湖南 长沙 410083
以氧化锌陶瓷靶和金属钴靶为靶材, 利用磁控共溅射方法制备钴掺杂氧化锌(Co-ZnO)薄膜。研究了氧氩比对薄膜的结构、光学和电学性能的影响。结果表明:薄膜具有类似于ZnO的六方纤锌矿结构, 并沿c轴择优生长; 当氧氩比为2∶8时, 薄膜具有较好的纳米晶粒和表面结构, 其霍尔迁移率为2.188×104 cm2/V·s, 最小电阻率为1.326×104 Ω·cm, 其薄膜透光率最高, 且在紫外区有一个相对较强的发射峰。
Co-ZnO薄膜 电阻率 霍尔迁移率 透射光谱 光致发光谱 thin ZnO∶Co film resistivity hall mobility transmittion spectrum photoluminescent spectrum 
发光学报
2010, 31(4): 498
作者单位
摘要
1 College of Physics Science and Technology, Central South University, Changsha 410083, CHN
2 School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, CHN
Ag island films absorption spectrum substrate temperature 
半导体光子学与技术
2009, 15(4): 203

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