作者单位
摘要
Institute of Semiconductors, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
Mg-doped ZnO nanobelts chemical vapour deposition method of crystal growth 
半导体光子学与技术
2009, 15(4): 225
作者单位
摘要
Institute of Semiconductors, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
nanowires GaN ammoniating Nb 
半导体光子学与技术
2008, 14(1): 42
作者单位
摘要
Institute of Semiconductors, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
annealing temperature ZnO films Si substrate pulsed laser deposition 
半导体光子学与技术
2007, 13(2): 150
作者单位
摘要
Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
semiconductor material GaN nanowires hexagonal wurtzite structure 
半导体光子学与技术
2007, 13(1): 48
作者单位
摘要
Institute of Semiconductor, College of Phys. and Electron., Shandong Normal University, Jipnan 250014, CHN
PLD ZnO Substrate temperature Oxygen pressure 
半导体光子学与技术
2005, 11(4): 239
作者单位
摘要
School of Phys. and Electron., Shandong Normal University, Ji'nan 250014, CHN
Hot-wall chemical vapor deposition GaN Micro-grains 
半导体光子学与技术
2004, 10(3): 182
作者单位
摘要
Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
SiC Amorphous SiC Porous SiC Ion implantation OEIC 
半导体光子学与技术
2003, 9(3): 182

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