作者单位
摘要
1 上海理工大学 光子芯片研究院,上海 200093
2 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093
通过设计优化微纳光子结构实现红外辐射光谱调控已成为一个研究重点。近年来,神经网络逆向设计因其自由度高,速度快,性能好等优势,引起了广泛关注。提出了基于神经网络的微纳光子结构红外辐射计算和逆向设计。具体来讲,即针对多层介质薄膜结构,建立多层感知机神经网络模型,通过对样本数据的训练建立多层薄膜的厚度与其红外辐射光谱的映射关系,从而实现了薄膜结构的辐射光谱计算及逆向设计。同时将设计出的薄膜应用到辐射制冷领域。结果表明,即使是在3%的太阳辐射吸收和6 W/(m2·K)的非辐射换热系数的情况下,薄膜辐射制冷器依然能够将温度降低到低于环境温度7 ℃左右。该研究成果将对红外辐射等应用领域产生重要的影响。
微纳光子结构 红外辐射 神经网络 辐射制冷 micro/nano photonic structures infrared radiation neural network radiative cooling 
光学仪器
2023, 45(5): 72
Xinyu Wu 1,2Weihua Han 1,2Xiaosong Zhao 1,2Yangyan Guo 1,2[ ... ]Fuhua Yang 1,2,3
Author Affiliations
Abstract
1 School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
2 Engineering Research Center for Semiconductor Integrated Technology, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
3 State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
We investigate gate-regulated transition temperatures for electron hopping behaviours through discrete ionized dopant atoms in silicon junctionless nanowire transistors. We demonstrate that the localization length of the wave function in the spatial distribution is able to be manipulated by the gate electric field. The transition temperatures regulated as the function of the localization length and the density of states near the Fermi energy level allow us to understand the electron hopping behaviours under the influence of thermal activation energy and Coulomb interaction energy. This is useful for future quantum information processing by single dopant atoms in silicon.
Journal of Semiconductors
2020, 41(7): 072905
作者单位
摘要
1 西安理工大学 自动化与信息工程学院, 西安 710048
2 西安理工大学 机械与精密仪器工程学院, 西安 710048
3 西安高斯激光科技有限公司, 西安 710032
精准定位激光束焦点位置是提高激光雕刻、切割、焊接等加工精度的重要基础,而传统测量方法不适用于自动寻找强激光焦点。基于激光烧蚀金属后等离子发光含大量紫外谱线的原理,以日盲的氮化镓肖特基光电二极管为传感器,设计了以304不锈钢靶材为耗材的红外强激光束自动寻焦方法及其装置。该方法与共聚焦显微镜检测平均烧蚀坑深的方法相比,当以脉冲宽度100 ns、重复工作频率20 kHz、平均功率10 W的1064 nm光纤激光雕刻机为实验对象时,二者定焦位置相差24 μm。
强激光 焦点 紫外辐射 等离子体 氮化镓 high-power laser focus ultraviolet radiation plasma GaN 
强激光与粒子束
2019, 31(9): 091006

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