Author Affiliations
1 School of Physics and Microelectronics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China
2 Engineering Research Center for Semiconductor Integrated Technology, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
3 Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
4 Institute of Intelligence Sensing in Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China
We investigated the effect of charge trapping on electrical characteristics of silicon junctionless nanowire transistors which are fabricated on heavily n-type doped silicon-on-insulator substrate. The obvious random telegraph noise and current hysteresis observed at the temperature of 10 K indicate the existence of acceptor-like traps. The position depth of the traps in the oxide from Si/SiO2 interface is 0.35 nm, calculated by utilizing the dependence of the capture and emission time on the gate voltage. Moreover, by constructing a three-dimensional model of tri-gate device structure in COMSOL Multiphysics simulation software, we achieved the trap density of 1.9 × 1012 cm–2 and the energy level position of traps at 0.18 eV below the intrinsic Fermi level.
Journal of Semiconductors
2022, 43(5): 054101
1 清华大学 深圳研究生院 生物医学工程研究所, 广东 深圳 518055
2 清华大学 深圳研究生院 深圳市无损监测与微创医学技术重点实验室, 广东 深圳 518055
mueller矩阵偏振成像可用于获取生物组织的浅表层生理学信息, 在疾病早期诊断与预防中具有重要意义。而在偏振成像系统中直接使用商用面阵CMOS相机不能得到用于解算mueller矩阵的正确图像信息, 限制了其在小型化内窥领域上的应用。对商用面阵CMOS的研究表明其光信号输入输出呈非线性映射关系。综合考虑到传感器固有的成像噪声, 提出一种基于校正的方法对CMOS的输出数据进行映射以获取正确的组织偏振信息值。实验结果表明校正后的偏振信息可以解算得到正确的mueller矩阵值, 误差可以控制在3%以内, 对蚕丝样品的测试也证明了该方法的有效性。上述结果使得内窥探头上应用小型化的商用面阵CMOS图像传感器进行体内生物组织mueller矩阵测量成为可能。
非线性校正 面阵CMOS mueller矩阵 内窥 non-linear correction area CMOS sensor mueller matrix endoscopic 
2016, 45(6): 0633001

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