1 中南大学湘雅二医院妇产科，长沙 410011
2 湖南师范大学生命科学学院，长沙 410081
为深入分析人 SIRT1基因启动子及蛋白的结构和功能，本文采用生物信息学方法分析人 SIRT1基因 5′端启动子、启动子区 Motif、转录因子结合位点、甲基化 CpG岛、单核苷酸多态性、进化关系、理化性质、二级和三级结构、保守结构域、突变和翻译后修饰位点、互作蛋白及生物学功能。 TSSW和 Neural Network Promoter Prediction数据库预测其区间分别存在 3个、 2个启动子。 MEME数据库预测启动子区存在 3个 Motif。EMBOSS、MethPrimer和 CpG Finder数据库都发现 CpG岛聚集分布于 1 600～ 2 200 bp区。 PROMO和 AliBaba2.1数据库预测其启动子区域共同转录因子为 22个。 JASPAR软件获得 6个与正负链相结合的转录因子。 SNP Function Prediction数据库还发现不同种族等位基因频率存在差异。人 SIRT1基因位于染色体 10q21.3上，广泛分布在不同组织中。人 SIRT1蛋白由 747个氨基酸组成，属于亲水、不稳定的蛋白质，在不同物种间具有较高的保守性。结构域位于第 254～489位氨基酸序列，属于 SIR2超家族，主要分布在细胞核和线粒体中，二级结构主要以 α-螺旋和无规则卷曲为主，相比 AlphaFold2，SWISS-MODEL数据库构建的三级模型更可靠。 SIRT1蛋白共含有突变位点 106个、 N-糖基化位点 1个、磷酸化位点 61个，与 EP300、TP53等多种蛋白相互作用，并且参与昼夜节律过程、类固醇激素反应、细胞内受体信号等，涉及寿命调节通路、 AMPK信号通路、 FoxO信号通路等。本研究为了解 SIRT1对炎症反应等疾病的影响及感染机制提供了参考依据。
人 SIRT1基因 启动子 蛋白 生物信息学 炎症中图分类号 human SIRT1 gene promoter protein bioinformatics inflammation
电子科技大学电子科学技术研究院, 四川成都 611731
针对目前传统入侵检测系统难以得出网络攻击行为之间存在的关联关系问题, 以攻击图表示模型为指引, 提出一种基于贝叶斯网络的攻击事件智能发掘模型。本文以先验知识建立贝叶斯攻击行为关联图。基于属性相似度聚合网络攻击行为, 针对网络攻击场景设计高效的 Ex-Apriori算法发掘攻击行为间的关联规则, 并建立攻击行为组集。利用贝叶斯攻击行为关联图的参数对攻击行为组集进行计算, 实现对攻击事件的发掘。实验表明, 本模型能有效提取网络攻击事件及发现攻击路径, 为网络攻击事件的发现与应对措施提供理论支持和技术支撑。
网络攻击图 贝叶斯网络 关联分析 改进 Apriori算法 network attackgraph Bayesian network associationanalysis improved Apriori algorithm 太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(11): 1370
1 电子科技大学电子科学技术研究院四川成都 611731
2 电子科技大学格拉斯哥学院四川成都 611731
事件句的句法结构有助于语义理解。针对中文领域的事件检测任务, 本文设计了面向句义及句法的事件检测模型(BDD)以增强对事件句的理解能力。以基于来自变压器的双向编码器表示 (BERT)的动态词向量为信息源, 设计基于依存树的长短时记忆网络模型(D-T-LSTM)以融合学习句法结构及上下文语义, 并加入基于依存向量的注意力机制强化对不同句法结构的区分度, 在中文突发事件语料库(CEC)上的实验证明了本文模型的有效性, 精确率、召回率、F1值均靠前, 且 F1值比基准模型提升了 5.4%, 召回率提升了 0.4%。
事件检测 来自变压器的双向编码器表示 基于依存树的长短时记忆网络模型 基于依存向量的注意力机制 event detection Bidirectional Encoder Representations from Transfo Dependency-Tree-LSTM(Long Short-Term Memory Networ D-Attention 太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(12): 1464
上海交通大学 电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台,上海 200240
开发了一种和MEMS工艺兼容的基于硅微加工技术的简易硅微透镜阵列制造技术。利用光刻胶热熔法和等离子体刻蚀法相结合的方法,实现了在硅晶圆上制作不同尺寸的硅微透镜阵列的工艺过程。实验中,对透镜制作过程中的热熔工艺、刻蚀工艺进行了深入的研究。最终确定了最优的工艺参数,制备了孔径在20~90 μm、表面质量高的硅微透镜阵列。
硅微透镜阵列 光刻胶热熔法 电感耦合等离子体刻蚀 刻蚀缺陷 silicon microlens array photoresist hot melt method ICP-RIE etch defect
1 重庆大学 物理学院，重庆 400044
2 重庆京东方光电科技有限公司，重庆 400700
3 北京京东方显示技术有限公司，北京 100176
在薄膜晶体管（Thin film transistor，TFT）的栅极（Gate）刻蚀制程中，显示区（AA区）和引线区（Fanout区）因布线密度差异而存在刻蚀负载效应，两区域刻蚀程度差异大，刻蚀时间难以确定。抑制栅极刻蚀制程中的刻蚀负载效应，对品质确保具有积极意义。本文分析了湿法刻蚀微观过程，提出增加刻蚀液喷淋流量抑制刻蚀负载效应的方案。将增加喷淋流量的方案转化为调节3个刻蚀腔室（Etch1~Etch3）的刻蚀时间比例。在总刻蚀时间不变的前提下，进行3腔室不同时间比例的刻蚀验证，并对刻蚀结果进行聚类分析。最后，优选出抑制刻蚀负载效应的时间比例，并结合神经网络分析，对结果进行解析。实验结果表明，降低Etch3时间比例，增加Etch2时间比例，刻蚀负载效应可以被抑制。Etch1~Etch3的时间比例由33.33%∶33.33%∶33.33%调整为10%∶80%∶10%，AA区和fanout区刻蚀程度差异由0.575 μm下降为0.317 μm。通过调节3个刻蚀区间的时间比例，可以抑制刻蚀负载效应，缓解不同区域刻蚀程度差异，满足TFT量产需求。
栅极 湿法刻蚀 负载效应 聚类分析 神经网络 gate electrodes wet etch loading effect cluster analysis neural networks
针对载体姿态变化引起的相机旋转运动，提出一种基于相关滤波的高速图像旋转运动估计算法（GPCF）。在灰度投影法的基础上，该算法采用相关滤波代替互相关运算进行角度估计。通过构建循环移位矩阵，扩充负样本数量，有效提高旋转运动估计的精度和鲁棒性。构建噪信比公式，以定量分析噪声对旋转运动估计算法的影响程度。理论分析和实验结果均表明，GPCF能够实时估计图像序列旋转角度，且精度和稳定性相比灰度投影法具有较大提升。
图像处理 旋转运动估计 灰度投影法 互相关 相关滤波 激光与光电子学进展
2023, 60(10): 1010026
1 中国电子科技集团公司第三十研究所, 四川 成都 610000
2 电子科技大学电子科学技术研究院, 四川 成都 611731
基于信息数据碎片化的多道隔离传输, 是在信息传输过程中保证其安全性的常用方法之一, 但其缺乏可证明安全性理论和测评方法。本文形式化地定义了一个多道碎片化传输系统, 包括数据的加密、碎片切分多道传输和重组功能。从多信道传输过程中数据泄露概率分析, 定义多道碎片化传输技术的可证明安全等级。建立一套多信道数据碎片化传输的安全等级评估方法, 从理论角度对于安全等级评估方法的有效性加以验证, 为多信道数据碎片化传输技术的实现提供理论指导, 同时为多信道数据碎片化传输系统的安全评测提供借鉴。该方法也适用于数据碎片化存储及传输相关领域的安全性分析。
网络安全 可证明安全性 多信道传输系统 碎片化技术 cyber security provable security multi-channel fragmentation technology 太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(3): 371
MgAgSb是一种具有潜力且元素储量相对丰富的室温热电材料, 有望用于构建高性能可穿戴温差电池。本研究尝试在聚酰亚胺(PI)基底上磁控溅射制备MgAgSb薄膜, 并系统研究退火条件对其热电性能的影响。结果表明样品未形成纯相的MgAgSb柔性热电薄膜, 而是形成了由Ag3Sb、MgO及Sb2O4多相组成的柔性薄膜, 其中Ag3Sb起主要热电功能。不同气氛退火可以显著提升MgO-Ag3Sb-Sb2O4 (Mg-Ag-Sb)柔性薄膜的热电性能, 其中真空处理性能最佳。在真空条件下, 随着退火温度升高, 柔性薄膜的热电性能呈现先增加后减少的趋势, 当退火温度为573 K时热电性能最佳, 室温附近功率因子达到74.16 μW?m-1?K-2。并且, 薄膜表现出较好的柔性, 弯曲900次后, 电导率仅变化了14%。本研究为MgAgSb柔性热电薄膜的制备及可穿戴应用提供了参考。
MgAgSb 退火处理 热电性能 柔性薄膜 MgAgSb annealing treatment thermoelectric property flexible film
1 重庆京东方光电科技有限公司，重庆 400700
2 重庆大学 物理学院，重庆 400044
3 中国科学院大学 重庆学院，重庆 400714
在薄膜晶体管（Thin film transistor，TFT）的公共电极制程中，有部分TFT样品的漏电流（Ioff）异常偏高，该部分样品经历同一个光刻胶剥离设备，导致该设备暂停流片，造成产能损失。明确该剥离设备造成TFT漏电流偏高的原因并予以解决，对产能和品质确保具有积极意义。本文首先收集了异常设备剥离液和正常设备的剥离液并分析成分，发现异常设备的剥离液中Al离子含量高。其次，发现TFT的Ioff会随着在异常设备流片次数的增加而上升。其原因是Al离子在剥离制程生成Al2O3颗粒，该颗粒附着在TFT器件钝化层上形成寄生栅极效应，最终造成Ioff增加。最后，结合TRIZ输出解决方案，并优选方案进行改善验证。实验结果表明，剥离液中的Al离子浓度由1×10-8上升到2.189×10-6时，Ioff由3.56 pA上升到7.56 pA。当剥离液中含有Al离子，经历的剥离次数增加时，Ioff呈上升趋势。钝化层成膜前的等离子体处理功率增强、钝化层膜厚增加可以抑制Ioff增加。由此，可以确定剥离设备造成Ioff偏高的原因是剥离液中的Al离子形成的寄生栅极效应，钝化层成膜前处理强化和膜厚增加均可以抑制该效应。
薄膜晶体管 光刻胶剥离 Al离子 寄生栅极效应 发明问题解决理论 thin film transitor photo-resist strip al ion parasitic gate effect TRIZ
北方夜视科技（南京）研究院有限公司，江苏南京 211106
开口面积比是微通道板（ MCP）重要的性能指标，在 MCP输入面进行扩口，对于 MCP的探测效率、噪声因子等参数有显著的提升作用，在微光夜视仪、粒子探测器等军用、民用领域具有巨大的应用潜力。采用湿法腐蚀进行微通道板扩口，面临工艺一致性差、选择性腐蚀造成锥度尺寸难以达标等难题，实质性批量应用非常困难。针对扩口 MCP难以制作和应用的问题，提出一种采用干法刻蚀进行 MCP扩口的方法，阐述了干法刻蚀进行 MCP扩口原理及可行性。通过建立理论模型研究干法刻蚀工艺参数如刻蚀角度、刻蚀时间等对于 MCP开口面积比、通道内刻蚀深度、通道内壁刻蚀锥度等性能参数的影响，计算出合适的工艺参数范围，为开展实验研究奠定了基础。
扩口微通道板 干法刻蚀 开口面积比 理论模型 funnel MCP, dry etching, open area ratio, theoreti
