高求 1,*罗燕 1罗江波 1刘米丰 1[ ... ]傅莉 2
作者单位
摘要
1 上海航天电子技术研究所, 上海 201109
2 西北工业大学凝固技术国家重点实验室, 西安 710072
Hg3In2Te6(简称MIT)是Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体Hg(3-3x)In2xTe3中x=0.5时对应的稳定相。本文采用第一性原理方法, 系统地探究了Au在MIT中的稳定性和掺杂效率。计算结果表明: Au-Te键具有与Hg-Te相似的极性共价键特性, 表明Au在MIT中具有一定掺杂稳定性。此外, 发现Au在MIT中存在两性掺杂特性: Au在AuHg和AuIn体系中表现受主特性, Au-5d电子轨道分别在价带顶和-4 eV位置与Te-5p电子轨道形成共振, 形成受主杂质能级; 而Au在AuTe和AuI体系中表现施主特性, Au-5d与Hg-6s、In-5s电子轨道在导带底产生共振, 形成施主杂质能级。富Hg条件下, AuI、AuTe与AuHg之间会产生自我补偿效应, 费米能级被钉扎在价带顶, 而富Te条件下, 上述自我补偿效应将会得到有效消除。
掺杂 结构弛豫 自我补偿效应 杂质能级 第一性原理 MIT MIT doping structural relaxation self-compensation effect defect level first-principle 
人工晶体学报
2023, 52(3): 428

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