针对目前Deeplab v3+模型进行图像语义分割时部分细节损失严重，存在漏分割、误分割现象，在其算法基础上构建了新的语义分割模型N-Deeplab v3+。新模型设计异感受野拼接的空洞空间金字塔池化结构，增强各层级信息间相关性；增设多次跨层特征融合，提升对图像细节的表征力；构建基于注意力机制的特征对齐模块，引导高低级特征对齐并有针对性地强化对重要通道特征的学习，提升模型学习能力。在Cityscapes数据集上的实验结果表明，所提改进方案能够有效提高小尺度目标关注度，缓解目标误分割问题，提升模型语义分割精度。在PASCAL VOC 2012数据集上进一步验证新模型的泛化能力。N-Deeplab v3+模型在Cityscapes数据集和PASCAL VOC 2012数据集上的平均交并比达76.31%和81.97%，较原模型分别提升了1.69个百分点和2.14个百分点。

单层结构对简化有机电致发光器件(OLED)的制备工艺及降低其制造成本具有重要意义。本文采用非掺杂热激活延迟荧光(TADF)发光层, 结合C60(2 nm)/MoO3(3 nm)/C60(2 nm)修饰的ITO阳极及4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen,3 nm)修饰的Ag 阴极, 制备了单层TADF器件(TADF-OLED)。该单层TADF-OLED具有良好的空穴和电子注入能力, 开启电压为3 V, 最大电流、功率及外量子效率分别可达到37.7 cd/A、47.4 lm/W和13.24%。然后, 我们利用“探针法”研究了该单层TADF-OLED的激子分布情况, 发现大部分激子在发光层靠近阳极侧形成。最后, 我们利用经典电磁学理论对器件的光取出效率进行模拟分析, 证实了这种激子分布特性有助于实现较高的光取出效率, 进而改善器件的外量子效率。

针对X光安检图像中多目标违禁品识别难度高的问题，提出了一种多目标违禁品识别算法。首先，综合考虑实际应用需求、网络性能和运行速度，用残差网络（ResNet50）作为骨干网络，并添加局部强化模块弥补空洞卷积导致的棋盘格现象。然后，用空洞残差特征增强模块和可变形空洞空间金字塔池化分别处理不同层级特征，自适应学习违禁品的多尺度特性。最后，引入注意力机制，强化对重点通道的学习能力并实现空间维度上的特征聚焦，加强违禁品区域的细节表征能力。在安检违禁品图像数据集上的测试结果表明，相比其他对比算法，本算法可在保证实时性的前提下取得更优的分割精度，平均交并比为82.26％，图像处理速度为16.21 frame/s。

采用半透明的镁银合金阴极成功制备了直流驱动的绿光透明有机电致发光器件, 并在此基础上, 提出利用半透明的镁银合金中间连接层连接两个发光子单元的新型器件结构, 从而成功实现了交流驱动的绿光透明有机电致发光器件。在铟锡氧化物和镁银合金两侧的出光方向上, 器件的光谱完全一致, 最大亮度分别达到1 374 cd/m2和283 cd/m2, 最高效率分别达到26.1 cd/A(8.1 lm/W)和3.5 cd/A(1.7 lm/W), 铟锡氧化物一侧的性能较好是由于铟锡氧化物电极和镁银合金中间连接层的透过率不同形成的。在低频交流电驱动下, 器件的两个发光子单元交替发出绿光; 而在高频交流电驱动下, 由于人眼无法分辨交替点亮时的闪烁, 两个发光子单元对于人眼而言则是同时且稳定地发出绿光。

顶发射结构可实现100%的开口率, 对高品质有机发光器件(OLED)显示具有重要意义。但目前OLED显示的传统制作方法难度较大, 且器件的光谱稳定性较差。为了降低OLED显示的制作难度并进一步提高器件的光谱稳定性, 本文将CdSe/ZnS量子点与聚甲基丙烯酸甲酯溶液相混合, 并通过压印法制备了具有微结构阵列的红光与绿光量子点下转换膜, 将其与高效顶发射蓝光OLED和彩色滤光片相结合, 实现了红(R)、绿(G)、蓝(B)三色顶发射OLED。RGB器件的最大电流效率分别为36、219和106 cd/A, 色坐标分别为(070, 030)、(024, 062)和(010, 020)。此外, 器件的光谱与色坐标几乎不随电压变化, 且同时具有优良的光谱角度稳定性。这种实现OLED彩色化的方法具有制作简单、成本较低等优点, 具有广阔的发展前景。

采用核壳结构的绿光CdSSe/ZnS量子点成功制备了顶发射绿光量子点器件, 并详细研究了它的光电特性。与具有相同结构的底发射器件相比, 顶发射器件在亮度、效率、色纯度、光谱的电压稳定性上都得到了显著提高。在相同电压7 V下, 尽管底发射具有更大的电流密度, 但亮度仅为831 cd/m2, 而顶发射器件的亮度则可达到1 350 cd/m2, 并且顶发射器件的最高亮度可达到7 112 cd/m2。在效率上, 顶发射器件的最大电流效率可达6.54 cd/A,远大于底发射器件的1.89 cd/A。在光谱方面, 在底发射器件中出现的红蓝部分的杂光在顶发射器件中完全被抑制, 而且顶发射光谱的半高宽显著窄化, 具有更高的色纯度。当电压从4 V变化到9 V时, 顶发射器件光谱始终保持稳定, 色坐标移动仅为(－0.005, －0.001)。 结果表明, 顶发射结构有利于提高量子点器件的亮度、效率、色纯度以及光谱的电压稳定性。

通过在Ag层中引入一层Ge薄膜,获得了具有低反射率和高反射相移的Ag/Ge/Ag复合阳极,并制备了基于该阳极的蓝光顶发射有机电致发光器件。阳极高的反射相移使得器件在有机层厚度为100 nm时获得了顶发射蓝光发射,且阳极较低的反射率减弱了器件内的微腔效应,使得其电致发光光谱在不同视角下具有良好的稳定性。当Ge的厚度为20 nm时,器件性能表现最为优良,最高亮度和最大电流效率分别可达3 612 cd/m2和5.4 cd/A,且色坐标在视角从0°变化到60°时仅移动了(0.007,0.006)。