单像素成像使用一系列空间光调制掩模对目标场景进行单像素亚采样，再根据掩模与测量值之间的关联重构出物体图像。这种间接获取图像的方式之所以能保证重建质量，除了有重构算法的功劳，更关键的是测量掩模的构造。随着压缩感知理论的引入，随机掩模进入人们视野，但它让测量变得盲目，缺乏针对性，而且这种掩模不便于存储和计算，极大限制了空间像素分辨率。哈达玛基掩模因其结构化特征使快速计算成为可能，且方便存储和提取，近年来得到广泛关注，已发展出诸多哈达玛基掩模优化排序方法，这些方法已被证明能大幅降低采样率。本综述系统地梳理了这类方法的设计框架和前沿进展，展望了确定性掩模构造的未来发展趋势，可为后续的研究工作提供有益的借鉴和指导。

原位实时观测镁合金氧化反应及生长过程, 揭示其氧化过程与控制机理是目前镁表面处理领域的主流和热点。本文将纯镁薄膜样品在加热炉中400 ℃下保温10 h, 采用聚焦电子束技术在透射电子显微镜(TEM)中制备了带边的镁纳米孔, 并借助原位高分辨透射电子显微学技术, 对镁纳米孔边缘表面晶格在微氧条件下缓慢氧化及生长动态进行了原位观测及机制研究。结果表明: 通过原子吸附过程, Mg原子扩散到氧化物亚表层实现氧化, 通过MgO的外延式层层生长实现氧化物生长, 属于典型的各向异性生长, 表现出由{200}晶面包围的带边形貌特点。对晶格缺陷在氧化生长过程中作用的研究发现: 空位、位错带等缺陷促进氧化过程的进行; 孪晶的大角晶界可抑制晶界的旋转或者迁移, 有利于提高镁合金的耐腐蚀性。

利用Preston方程,考虑了超精密环抛中的诸因素,如工件和磨盘转速比、偏心距以及压强,计算模拟了它们对磨削效果的影响.模拟表明,当转速比越接近1或偏心距越大时,磨削越均匀;均匀分布的压强越大,磨削越不均匀.在这三个影响因素中,转速比的作用最为显著.实现均匀磨削所需的压强应为二次型分布.这些为超精密环抛提供了指导,有助于实现主动控制.

在实际的高功率激光系统中，当光学元件非共轴放置、光学元件有像散特性、光束倾斜入射时，系统中会出现许多离轴的鬼点，鬼点也可能变为鬼线。采用4×4光学矩阵，给出了计算高功率激光装置中的任意n阶离轴鬼点或鬼线的方法，还给出了判断鬼点或鬼线虚实的判据。