李作恩 1,2鞠学平 1胡春晖 1,*颜昌翔 1,3[ ... ]杨斌 5
作者单位
摘要
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033
2 中国科学院大学,北京 100049
3 中国科学院大学 材料与光电研究中心,北京 100049
4 航天系统部 装备部 装备项目管理中心,北京 100094
5 长光禹辰信息技术与装备(青岛)有限公司,山东 青岛 266000
为了满足高精度偏振探测要求,通道型偏振光谱仪在设计时需要考虑望远镜组偏振效应的影响,并对其进行相应的分析和优化。首先,分析望远镜组偏振效应的影响因素,采用坐标变换和穆勒矩阵连乘法建立了考虑膜系偏振效应的望远镜组穆勒矩阵模型,并带入通道型偏振光谱仪偏振解调模型。接着,通过同时控制S光和P光的透过率和相位延迟,设计相应的低偏振效应膜系。最后,运用偏振光线追迹的方法对镀有不同膜系的望远镜组进行偏振效应仿真。仿真结果表明,在580 nm和750 nm波长处,低偏振效应膜系与高偏振效应膜系的偏振探测精度变化不明显。而在420 nm波长处,低偏振效应膜系相较于常用膜系的边缘视场偏振探测精度提高了3.22%。低偏振效应膜系可以有效降低通道型偏振光谱仪望远镜组偏振效应,提高仪器的偏振探测精度。
偏振光谱相机 偏振效应 斯托克斯矢量 穆勒矩阵 polarization spectrum camera polarization effect stokes vector muller matrix 
液晶与显示
2023, 38(12): 1728
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
2 模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060
针对任意复杂拓扑结构的梯形声表面波(SAW)滤波器的精确快速设计问题, 基于声/电/磁多物理场耦合全波仿真平台, 结合基因遗传优化算法和通用图形处理器(GPGPU)加速技术, 利用有限元分层级联精确模型(HCT)代替COM模型进行SAW滤波器的设计与优化, 计算速度和优化速度与COM模型相当。通过42°Y-X LiTaO3常规SAW滤波器的优化设计与研制, 插入损耗为0.67 dB, 2 dB相对带宽为3.85%, 验证了该方法的有效性和可行性。
SAW滤波器 全波仿真 分层级联 遗传算法 SAW device full-wave simulation hierarchical cascade genetic algorithm 
压电与声光
2023, 45(1): 1
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司 第二十六研究所,重庆400060
2 模拟集成电路重点实验室,重庆 400060
该文采用一种改进型双模声表面波(DMS)结构来设计1, 5 GHz的极窄带声表面波(SAW)滤波器。DMS结构两端的反射器采用分布式多周期加权结构能够消除在声通道上传播的多种声反射模式。为灵活设计滤波器阻带抑制及带宽指标,在DMS结构的两个叉指换能器(IDT)之间加入反射器。结果表明,研制的极窄带SAW滤波器中心频率为1, 5 GHz,实测带宽为878, 75 kHz,插入损耗为5, 8 dB,阻带抑制达到45 dB。
声表面波(SAW)滤波器 极窄带 相对带宽 双模声表面波 surface acoustic wave(SAW) filter extreme narrow band fractional bandwidth double-made surface acoustic wave(DMS) 
压电与声光
2022, 44(2): 253
作者单位
摘要
1 模拟集成电路重点实验室, 重庆400060
2 中国电子科技集团公司 第二十六研究所, 重庆400060
针对任意复杂结构声表面波(SAW)器件精确快速分析及其内部多物理场耦合效应的精确表征问题,该文在充分考虑SAW器件实际存在的各种影响因素下,采用有限元分层级联算法推导出有限长结构SAW器件的有限元数学模型。基于全波仿真技术,考虑管座及键合线等封装模型电磁效应,对漏波型42°Y-X LiTaO3温度补偿型声表面波(TC-SAW)器件进行计算,通过与实验结果对比,验证了计算模型的精确性,为高性能SAW器件的精确快速设计提供了支撑。
SAW器件 精确表征 分层级联技术(HCT) 全波仿真 surface acoustic wave(SAW) devices accurate characterization hierarchical cascading technique(HCT) full-wave simulation 
压电与声光
2022, 44(2): 234
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜。使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向, 并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力。试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好, 摇摆曲线半高宽达到3.21°, 均方根粗糙度为1.56 nm, 应力为-6.22 MPa。利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz, 插入损耗为50.7 dB, 优于美国Teledyne公司的产品。
延迟线 声体波(BAW) 压电薄膜 换能器 delay line bulk acoustic wave(BAW) piezoelectric film transducer 
压电与声光
2021, 43(6): 739
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆400060
为了防止声表面波器件被自身的热释电静电烧伤, 提出了一种新的静电防护方法。该方法采用导电介质来实现对声表面波器件引脚的良好接触,并建立了静电传导途径, 实现了热释电静电的释放, 解决了困扰声表面波器件的静电敏感问题。试验结果表明, 该方法能有效预防静电烧伤, 具有很好的实用性。
声表面波器件 导电介质 静电 热释电 晶片 surface acoustic wave(SAW) device conductive medium static electricity pyroelectricity wafer 
压电与声光
2021, 43(2): 222
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
为了研究钝化层对声表面波(SAW)滤波器性能的影响, 以二氧化硅(SiO2)薄膜为钝化层, 对厚度为12~80 nm 的SiO2膜钝化层工艺数据进行分析。结果表明,当SiO2膜钝化层覆膜厚度大于25 nm时其膜层质量均匀性好,致密度高。同时SiO2膜钝化层厚度对膜层间的粘性、传播损耗、自身的质量负载及谐振峰处的频率均有影响, 且会引起过渡带宽发生变化。
表面波滤波器 钝化层 二氧化硅(SiO2)覆膜 过渡带宽 SAW filter passivation layer SiO2 film transition bandwidth 
压电与声光
2021, 43(4): 511
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜; 采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜; 采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析, 结果表明, 复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良, 说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL), 其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。
复合氮化铝压电薄膜 Ku及K波段声体波微波延迟线(BAWDL) 低插损 composite piezoelectric AlN thin films Ku and K band BAWDL low insertion loss 
压电与声光
2020, 42(5): 628
作者单位
摘要
中国电子科技集团第二十六研究所, 重庆 400060
以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料, 选择双T型阻抗元结构, 采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%, 最小插入损耗为-2.8 dB, 体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡, 对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明, 探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比, 两者吻合较好, 解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。
晶圆级封装(WLP) 声表面波滤波器 探卡 wafer level packaging(WLP) SAW filter probe card 
压电与声光
2020, 42(4): 579
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
2 装备发展部驻重庆地区军事代表室, 重庆 400060
该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y-X LiNbO3为基片材料, 其中心频率约475 MHz, 插入损耗小于2 dB, 阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性, 结果表明该设计方法具有很好的实用性。
声表面波滤波器 周期调制 三换能器 surface acoustic wave filter pitch-modulated three-IDT 
压电与声光
2020, 42(4): 453

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